长电科技65亿元定增，加码多个封装产能扩建

长电科技发布公告，公司拟向特定对象发行A股股票募集资金总额不超过65亿元，用于高性能计算高端先进封装平台扩产项目、高端电源模组先进封装测试产能升级项目、晶圆级封装先进工艺平台升级扩能项目、高密度大容量存储芯片系统级封测能力升级项目及补充流动资金和偿还银行贷款。

高性能计算高端先进封装平台扩产项目

该项目计划投入约23.5亿元，用于提升超高性能计算芯片、服务器网通设备芯片等高端先进封装测试芯片的产能，本项目建设期为20个月。

目前高端先进封装已进入确定性的高速成长期，由技术储备阶段迈入规模化应用与商业化落地阶段。根据Yole Group发布的《Advanced Packaging Market Monitor Q1 2026》，2025年全球先进封装市场规模约540亿美元，预计到2031年有望达1,086亿美元；在国内市场， Bernstein数据进一步表明高端先进封装正加速放量，预计至2030年复合增长率高达93.7%。

长电科技XDFOI平台已构建起“量产一代、验证一代、研发一代”的完整技术梯队，该技术平台作为面向芯粒的极高密度扇出型异构封装解决方案，通过工艺设计协同优化实现高密度多维异质异构集成，已广泛应用于高性能计算、人工智能、5G通信及汽车电子等领域，整体技术规划与国际顶尖封装厂商保持同步，具备持续演进的系统性基础。 在Chiplet、2.5D/3D等核心方向，XDFOI技术能力对标国际先进水平， 并在部分细分领域具备差异化优势。

在此背景下，长电科技表示，项目实施将有利于提升公司在相关先进封装测试领域的制造能力，实现大规模化高端先进封装集成，优化产品结构，提升公司的经营规模及盈利能力，有效推进并巩固公司在先进封测领域的优势。

高端电源模组先进封装测试产能升级项目

该项目总投资金额16.4亿元，用于扩充FCLGA封装及模组的产能建设， 主要为高端电源芯片及电源模组头部厂商、大型云服务商及数据中心运营商提供FCLGA封装及FCLGA模组配套，满足日益增长的AI数据中心高功率电源系统需求，项目建设期为20个月。

目前长电科技在人工智能电源应用的FCLGA封装及FCLGA模组领域已实现大批量出货，稳居全球供应第一梯队，技术实力行业领先。当前公司的FCLGA封装产能已趋近饱和，而下游整体客户需求仍趋于旺盛，高端模组需求持续攀升。

此外在技术方面，长电科技FCLGA封装及FCLGA模组产品可支持多种异质集成结构，实现多次真空回流焊接，兼容多类型基板/PCB，灵活适配基板/PCB与电感、变压器的多种互连方式，同时掌握激光割切、散热盖贴装及变压器高精度定位等关键工艺。同时，长电科技在低损基板和介质、高导热材料也有相关技术储备，有望实现高功率SiP模组及PowerFCLGA产品规模化突破。

晶圆级封装先进工艺平台升级扩能项目

该项目计划投资18.3亿元，用于晶圆级封装扩产项目，项目建设期为20个月。

晶圆级封测本质上承接了“更小间距、更高I/O密度、更高集成度”的系统趋势。长电科技判断应用端将从消费电子向工业、运算、汽车迁移，Bumping逐步向更高附加值、更高性能封装耦合的互连基础能力延伸。

长电科技拥有20年的晶圆级封测技术开发与制造经验、6/8/12寸全尺寸兼容、全集团FullTurnkey服务，已形成成熟稳定的量产能力。本次扩产是在既有平台上做产能复制与工艺组合升级，技术路径可控，在既有流程、既有质量体系、既有客户产品组合上做产能补充和效率提升，较新建整线更易控风险、也更容易在质量 /良率上实现平滑爬坡。

Bumping属于晶圆级成熟工艺模块，其核心流程包括溅射（SeedLayer）、光刻、刻蚀、电镀、去胶、AOI等，均为公司已长期运行的标准化工艺单元。在现有产线中，相关工艺参数、工艺窗口、良率控制方法已完成从工程批到量产批的充分验证。长电科技表示，Bumping的互联能力是公司未来实现多产品线协同发展的底座能力，本次扩产不仅是数量扩张，更是为后续更高密度封装的导入提供产能与工艺窗口。

高密度大容量存储芯片系统级封测能力升级项目

该项目计划投资18.5亿元，用于高密度大容量存储芯片系统级封装测试的制造能力升级。本次投资采用成熟的WireBonding与FlipChip封装技术，布局FBGA、FCCSP等存储封装形式，通过多芯片堆叠实现高密度、大容量存储解决方案，重点服务国内存储客户，建设期为36个月。

根据Mordor Intelligence市场数据，2025年全球存储封测市场规模约308.6亿美元，预计2030年将提升至约403.3亿美元，CAGR达5.5%。中国市场增长更为突出，2025年中国存储封测市场规模约648.1亿元人民币，占全球比重30%以上；预计2030年将增长至约1,411.6亿元，CAGR约16.8%，成为全球存储封测产业增长的核心引擎。

长电科技在存储封测领域拥有20余年规模化量产经验，能够同时覆盖NAND Flash与DRAM全系列存储芯片封测需求。在高密度存储封装、多芯片与超高层堆叠、FC+WB混合封装等方向具备行业领先的工艺能力与量产经验，相关产品已在AI/HPC、新能源汽车、信息与消费终端、物联网及工业控制等领域实现规模化应用。

长电科技表示，此次投资建设的存储产品封装扩产项目，通过新增高端产能与升级工艺平台，进一步夯实公司在高密度存储封装领域的技术领先优势，提升核心技术自主创新能力与高端产品供给能力，推动技术平台向更高集成度、更高可靠性方向迭代升级，助力公司巩固全球封测行业龙头地位，更好支撑人工智能、高性能计算、汽车电子等下游领域的快速发展。