HBM3E现货狂飙，价格是长协的4‑5倍

AI加速器所用的高带宽内存（HBM）与DRAM价格大幅上涨，即便是占据全球存储半导体市场约70%份额的三星电子和SK海力士，也难以满足暴涨的市场需求。

韩国贸易协会最新数据显示，用于制造AI芯片的HBM、低功耗双倍数据速率内存（LPDDR）等DRAM产品，出口数量从5月的约6.8179亿颗，下降至7月的5.9174亿颗，降幅达13.2%。但同期DRAM整体出口额从114.2837亿美元增长到135.5155亿美元，增幅18.5%；出口单价从16.76美元暴涨至22.9美元，涨幅36.6%。

随着对英伟达等科技巨头客户的HBM4供货规模扩大，市场对DRAM的需求被进一步拉动，进而推动价格走高。再加上尚处于量产初期的HBM4良率低于上一代HBM3E，生产过程消耗更多DRAM，进一步加剧了整体DRAM供给紧张的局面。

韩国半导体产业协会常务安基炫表示：“HBM版本越新，良率往往越低。HBM4价格差不多是上一代产品的两倍。存储企业扩大产能的过程中，需要投入的DRAM数量随之增加，最终体现为整体出口出货量下滑。”

值得一提的是，三星电子、SK海力士转向以长期供货协议（LTA）为主的销售模式，也加剧了现货市场供给紧张。行业消息称，三星电子存储业务部门已经将直至2031年的约70%产能分配给长期协议订单，主要签约客户包括英伟达、微软、谷歌等全球科技巨头。

即便是这些科技大厂，也拿不到协议约定的全部供货量，HBM资源争夺十分激烈，现货价格因此进一步飙升。存储市场调研机构MegaGrid Supply的数据显示，36GB版本HBM3E现货价格达到2100美元（约合287万韩元），相较约50‑70万韩元的长协价，现货价格高出4‑5倍。目前处于量产调试阶段的16层HBM4，如果走现货渠道采购，价格已经达到3500美元（约合480万韩元）。

长协规模扩张，也正在重塑存储厂商的库存结构。据报道，2026年上半年，三星电子半导体库存资产较去年年末增长32%，达到38.06万亿韩元；其中在制品（WIP）库存增长35%，达29.71万亿韩元。SK海力士也呈现相同态势，总库存增长26%，至17.99万亿韩元；在制品库存上涨20%，达到11.08万亿韩元。

行业消息人士表示，这和过去行业下行周期的情况不同：以往库存走高往往代表芯片滞销积压；而这一轮库存增长，一部分是企业为兑现长协订单的未来需求，提前储备原材料、安排生产带来的。

客户端同样在积极锁定长期供货。英伟达将2027财年第一季度的长期采购承诺规模，从1190亿美元提升至第二季度的2790亿美元。以往这类长期采购协议包含台积电晶圆加工、先进封装以及HBM采购；但英伟达表示，最新的这批承诺额度主要用于存储器采购。

不过，对存储厂商而言，高度依赖长协模式有利有弊。长协能够稳定企业营收，但当现货价格暴涨时，厂商会错失一部分意外超额收益。短期来看DRAM供应仍将维持紧张，全球AI投资节奏、新增产能投产时点，将决定中长期供需平衡走向。

由于存储供给紧张的局面短期难以缓解，三星电子与SK海力士正多管齐下扩充产能。三星电子DS（半导体）部门管理层正在评估，最快明年将平泽园区内唯一一条S5代工厂产线改造为存储产线。

另外有消息称，SK海力士除扩建龙仁、湖南地区生产基地外，还在评估和日本企业设立本地合资工厂的可能性。业内关注SK海力士进一步深化与日本第一大NAND厂商铠侠的合作，借此提升其在全球存储供应链当中的影响力。

存储紧缺带来的涨价浪潮，预计将推动三星电子、SK海力士业绩持续走高。金融投资行业认为，两家企业第三季度将再度刷新历史最高业绩。

机构最近预期，三星电子第三季度预计实现营收206.6376万亿韩元，营业利润116.3790万亿韩元，将大幅高于第二季度（营收171.4995万亿韩元、营业利润89.4924万亿韩元）。其中营业利润突破100万亿韩元，不仅创下韩国企业史上新纪录，在全球科技大厂中也属首次。市场同时预测，SK海力士第三季度营收环比增长28.2%，达到101.7573万亿韩元；营业利润环比上涨30.7%，达到79.1565万亿韩元。

安基炫常务表示：“想要解决半导体供给不足的问题，必须新建更多工厂。就算规划的新工厂投产，也只能缓解缺货，无法彻底解决供应紧张。”