投资超10亿元，尚积半导体薄膜刻蚀设备研制基地落户无锡

近日，拓荆科技股份有限公司董事长吕光泉、无锡尚积半导体科技股份有限公司董事长王世宽一行到访无锡高新区。无锡高新区党工委书记、区委书记崔荣国与企业代表团开展会谈交流，各方共同出席尚积半导体薄膜和刻蚀设备研制基地项目签约仪式。本次签约的尚积半导体薄膜和刻蚀设备研制基地总投资规模超过10亿元，规划用地60亩。

项目建成达产后，将形成年产薄膜沉积设备200台、刻蚀设备50台的制造产能。尚积半导体方面表示，将加快推进项目建设各项工作，聚焦半导体前道核心工艺赛道，围绕薄膜沉积、刻蚀两大关键装备持续开展技术攻关与工艺突破。依托新基地产能平台，企业还将带动产业链上下游配套企业集聚，推动国产高端装备在多条先进产线实现导入应用，与无锡高新区合力打造自主可控的集成电路产业生态。

无锡尚积半导体科技股份有限公司设立于2021年，为国家级高新技术企业，长期深耕半导体薄膜沉积与刻蚀设备研发制造。公司核心产品覆盖PVD物理气相沉积、干法刻蚀、CVD化学气相沉积等前道关键工艺设备，核心部件与核心技术实现100%自主可控。在MEMS以及功率半导体细分市场，尚积半导体PVD设备市场占有率处于行业第一梯队，设备已经在多家国内晶圆厂实现批量量产验证，覆盖功率器件、MEMS传感器、射频芯片、先进封装等多元应用场景。

此次研制基地落地无锡，也与资本市场层面的产业并购形成联动。早在7月10日，科创板半导体设备企业拓荆科技对外披露重组预案，公司计划采用发行股份结合支付现金的方式收购无锡尚积控股权，并同步募集配套资金。交易方案显示，拓荆科技拟直接收购无锡尚积82.97%股份，同时收购上海泰纳微100%股权、无锡宽行100%股权，两家主体均为尚积半导体持股平台，交易完成之后，拓荆科技将实现对无锡尚积直接及间接100%持股。

拓荆科技是国内薄膜沉积设备龙头厂商，现有产品矩阵以PECVD、ALD等CVD类薄膜设备为主，在国内逻辑、存储产线已经大规模落地，不过在PVD物理气相沉积、特种干法刻蚀领域产品布局相对有限。而尚积半导体恰好补齐这一产品缺口，二者在技术、产品、客户资源上具备较强互补属性。本次并购完成后，拓荆科技将快速补齐PVD与刻蚀设备能力，向着平台型半导体设备服务商进一步迈进，能够为晶圆制造客户提供更多元的工艺设备组合方案。

尚积半导体扎根无锡高新区布局大型研制基地，也将充分利用本地集成电路产业集群优势。无锡高新区是国内集成电路产业重点集聚区，聚集存储制造、功率半导体、先进封装测试等大量产业链资源，周边晶圆厂资源密集，能够为设备企业提供就近工艺验证、客户对接的便利条件。新基地投产后，规模化产能可以更好承接来自功率器件、MEMS、化合物半导体以及先进封装领域的设备订单，进一步放大尚积半导体在细分赛道的竞争优势，同时也为拓荆科技并购完成之后的业务整合预留产能空间。

从产业价值来看，薄膜沉积与刻蚀是晶圆制造用量最大的两类前道设备，也是国产替代进程当中至关重要的环节。过去很长一段时间，国内相关市场被海外设备厂商占据，国内厂商需要持续通过工艺迭代、产能建设、客户验证逐步提升市场份额。尚积半导体新基地落地，一方面能够放大自身已经形成的细分市场优势，扩大国产PVD、刻蚀设备交付规模；另一方面依托拓荆科技的上市公司平台、客户渠道以及研发资源，有望加速向更多先进工艺场景渗透。

对于无锡高新区而言，该项目落地将进一步完善区域半导体装备板块布局，补齐薄膜、刻蚀设备制造产能，强化本地设备企业的供给能力，为区域集成电路产业高质量发展注入新的动能。随着国内半导体设备行业产业整合不断增多，本土设备企业通过并购补齐产品线、建设大型生产基地扩大交付能力，已经成为行业发展的重要趋势。尚积半导体研制基地的开工建设，叠加拓荆科技的资本并购动作，也成为国内半导体设备产业协同发展的典型样本，后续项目建设进度以及并购整合进展，也将持续受到产业界关注。