英伟达亮出NVHBM方案，重分配HBM利润

一颗HBM堆栈由十几层DRAM晶粒垂直堆叠而成，但堆栈里成本最高、价值最集中的部分，并不是这些DRAM晶粒本身，而是垫在最底下的那颗基础晶粒（base die）。业内消息显示，它的制造成本高达普通DRAM晶粒的3到4倍。

过去，基础晶粒只是HBM的“接口底座”，负责把堆栈连接到GPU、CPU等外部处理器。但从HBM4这一代开始，它的角色发生了质变：存储厂开始采用晶圆代工的先进工艺制造基础晶粒，为客户定制。SK海力士从第六代HBM4起，就将基础晶粒交由台积电用极细工艺生产，到第七代HBM4E，业内甚至在讨论采用台积电3nm级工艺。

工艺升级推高了基础晶粒的成本与权重，也让它从配角变成了整条HBM价值链的中枢。围绕这颗小小的晶粒，英伟达、存储三巨头和代工厂正在重新分账。

传统HBM架构中，内存控制器位于GPU等XPU主芯片上，基础晶粒只承担高速接口。NVHBM把英伟达定制的内存控制器从XPU移走，直接放进HBM堆栈底层的基础晶粒。带来的收益是实打实的：内存带宽提升约30%，功耗降低约15%；主芯片因为卸下了控制器，最多可节省25%的晶粒面积，用于布置更多计算单元。

性能与成本账的背后，是定价权的转移。基础晶粒本就攫取了HBM堆栈中的大部分价值，如今控制器这颗“大脑”也归英伟达所有。对三星、SK海力士、美光这三家DRAM厂商而言，这意味着自己供应的DRAM本体有被大宗商品化的风险：利润最厚的部分被抽走。

据韩国媒体报道，SK海力士正在评估将HBM基础晶粒的代工生产从台积电转移一部分给英特尔，最早可能从HBM4E世代开始。

SK海力士目前的基础晶粒在台积电12nm工艺上生产，而台积电已计划从2027年起对7nm以下先进节点，以及部分12nm、16nm、28nm成熟工艺提价约5%至10%。单一供应商意味着只能被动接受涨价。

AI加速器与高性能计算需求让台积电实际上处于满产状态，争取额外产能的难度越来越大，引入第二供应商可以加快生产节奏。英特尔在亚利桑那州和俄亥俄州拥有领先工艺晶圆厂，与SK海力士正在印第安纳州建设的先进封装厂形成呼应——这家封装厂计划2029年下半年量产下一代HBM，SK海力士CEO郭鲁正已明确描绘了“韩国生产HBM晶圆、运至美国完成封装测试再交付客户”的一体化图景。把基础晶粒代工交给美国本土的英特尔，与这一美国本土化战略同向而行。

今年6月，英特尔聘请SK海力士前CEO李锡熙出任代工业务高级副总裁，负责先进封装与后端工艺——这位曾在英特尔任职、后来执掌SK海力士的老将回归，被外界视为双方深化合作的信号。英特尔CEO陈立武在二季度财报会上也亲口表示，公司正在探索计算与内存整合的多种路径，包括堆叠技术以及提升内存利用率与效率的方法。

今年第二季度，英特尔代工部门销售额58亿美元，其中外部客户收入仅2.93亿美元，占比5%。公司正寄望于1.8nm级的18A工艺带领代工部门扭亏，迫切需要一个重量级外部客户来证明自己。若能拿下HBM基础晶粒订单，英特尔不仅获得可观收入，更等于在AI存储供应链中钉入一个标杆。

值得注意的是，这已是英特尔近期第二次在先进封装与HBM相关领域收获潜在客户机会。此前已有渠道消息称，谷歌及其ASIC设计伙伴联发科可能采用英特尔的EMIB-T封装技术生产下一代TPU。台积电CoWoS封装在AI需求暴增下出现的产能与成本压力，正在把一部分客户推向英特尔。