投资超40亿美元，SK海力士美国首个HBM工厂奠基

当AI芯片巨头英伟达还在为HBM产能“抢破头”时，SK海力士直接把工厂搬到了美国客户的家门口。

当地时间8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行HBM先进封装生产基地奠基仪式。这座总投资超40亿美元的工厂，将成为SK海力士在美国落地的首座HBM专属生产基地。

HBM是支撑大模型训练、AI服务器运行的关键存储芯片，而先进封装正是HBM实现高性能的核心技术。简单来说，先进封装就是突破芯片微缩工艺的瓶颈，将多颗芯片垂直堆叠整合，以此大幅提升芯片的传输性能，是当前AI半导体赛道不可忽视的核心后端工艺。

按照规划，印第安纳州这座先进封装基地，将于2028年10月完成无尘室的建设工作，2029年下半年正式实现新一代HBM（预计为HBM4E）的大规模量产。工厂全面投运之后，基地内部员工规模将达到1000人以上。

据SK海力士CEO郭鲁正透露，届时该工厂的年产能将达到数十万片晶圆，预计到2030年印第安纳州将成为“美国关键的HBM生产基地”。

SK海力士CEO郭鲁正在印第安纳州西拉斐特的普渡大学新闻发布会上发表讲话

来源：联合通讯社

值得注意的是，这座工厂并不承担晶圆制造环节。生产模式上采用韩美协同的模式：在韩国本土完成生产的先进晶圆会运输到印第安纳工厂，在这里完成封装、测试工序之后，作为“美国制造”的HBM产品，再直接交付给美国本土的AI客户，就近服务北美市场的算力需求。

不止于生产制造，SK海力士还会同步在厂区内搭建先进封装研发测试床。这个开放平台可以联合客户、高校、产业链伙伴，共同开展下一代封装技术的研发，快速完成芯片原型试制与性能验证，实现研发与生产一体化落地。

另外，产业生态与人才培养，也是本次项目的重点。目前已有超过100家材料、零部件、设备领域的合作伙伴，洽谈进驻园区相关事宜。项目落地之后，预计会为当地创造约7000个直接与间接就业岗位，带动美国中西部半导体产业集群发展。

同时，SK海力士还在奠基仪式现场与普渡大学签署了研发合作谅解备忘录，双方将围绕HBM、下一代系统集成、先进封装技术展开联合研究。未来还会进一步拓展和美国多所高校、科研机构的合作，挖掘和引进高端半导体人才，夯实技术研发底座。

放眼全球，AI算力竞争愈演愈烈，HBM作为稀缺的核心硬件，供需格局持续紧张。此次SK海力士加码美国本土HBM封装产能，一方面，可以贴近北美头部AI客户，缩短供应链链路，稳固自身在HBM市场的竞争地位；另一方面，也补齐了美国本土在HBM先进封装环节的产能短板，强化当地AI存储供应链能力。

从韩国制造到美国本土量产，SK海力士把HBM的核心产能版图跨洋拓展到了印第安纳，这个斥资超40亿美元的先进封装基地，注定会成为未来几年全球HBM产业洗牌的重要信号，给现有行业格局带来颠覆性的深刻变动。