Navitas2.3亿美元收购Clos,补齐“电网到xPU”电源链条

来源:半导纵横发布时间:2026-08-27 11:02
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电源不再是配角,VPD、IVR近芯片垂直供电已成为关键赛道。

随着AI算力芯片功耗持续飙升,供电系统逐渐成为制约AI服务器性能释放的关键瓶颈。近日,美国氮化镓、碳化硅功率半导体厂商Navitas Semiconductor对外宣布,已经签署最终收购协议,将收购专注AI数据中心电源管理的Claros Inc,交易总价值最高可达2.328亿美元,以此补齐垂直电源输送VPD、集成电压调节器IVR关键技术,打通从电网到AI处理器xPU的完整供电产品链路。

Claros公司成立于2024年,获得Red Cell Partners、General Catalyst等多家机构投资,核心业务面向下一代AI数据中心,研发VPD垂直电源输送与IVR集成电压调节器技术。本次交易对价按照Navitas在8月21日的股票收盘价核算,交割阶段将支付约2.16亿美元现金及A类普通股,剩余资金将在交割完成后两年内,依据业务里程碑完成情况以股票形式发放。同时,部分留任Claros员工可获得价值约2890万美元的绩效股权激励,同样绑定业务目标。两家公司董事会已一致通过本次收购,交易预计于2026年底完成,仍需要通过常规商业条款以及相关监管机构审批。

当前,AI算力芯片GPU、CPU、NPU等加速器算力快速迭代,但性能提升的瓶颈已经不完全来自计算单元本身,供电系统“功率壁垒”日益凸显。行业正在推广800V高压直流HVDC架构,依托GaN氮化镓、SiC碳化硅器件替代传统硅器件,提升整机机架功率密度。不过传统电压调节模块VRM依旧采用横向板级供电模式,而新一代xPU处理器需要数千安培超大电流、近乎瞬时的动态响应,长距离横向传输带来阻抗损耗大、瞬态响应不足,直接限制AI芯片带宽与计算性能发挥。

Claros的VPD与IVR技术为该痛点提供解决方案,方案将电源转换、驱动控制以及无源器件高度集成在紧凑型封装内部,电源模块直接布置在芯片封装或者PCB板下方,电力传输距离缩短至几毫米,告别过去数英寸的长距离传输路径。该架构可以实现超快瞬态响应,大幅降低回路阻抗,提升供电效率,满足下一代AI计算对于超高功率密度的硬性需求。Navitas表示,该技术与自身GaN、高压及超高压SiC产品高度互补,共同完善800V高压直流架构,完整覆盖AI机架从前端电力变换到处理器端供电的全链条。

Navitas总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示,AI产业发展需要为高功耗处理器供给数千安培电流,现有的供电壁垒正在阻碍兆瓦级服务器机架内xPU释放全部性能。将Claros的近芯片供电技术与Navitas宽禁带半导体产品结合,能够打破AI基础设施供电瓶颈。本次收购也是Navitas 2.0转型战略重要一环,将加深与超大规模云厂商、AI电源平台企业合作,巩固在AI电源赛道的行业地位。Claros联合创始人Dan Kultran称,双方创新文化高度契合,借助Navitas产业资源,可以加速VPD、IVR技术落地,推动下一代AI基础设施部署,降低板级供电损耗与散热压力,压缩数据中心运营成本。

除产品组合扩充外,收购将显著抬升Navitas的市场空间预期。测算显示,完成收购后,公司2030年可服务市场规模SAM将实现翻倍,突破80亿美元。其中VPD、IVR相关市场贡献至少35亿美元;叠加原有GaN、高压SiC业务35亿美元市场,以及JFET结型场效应晶体管约10亿美元市场,企业整体业务边界得到极大拓展。

公司同时强调,Navitas 2.0转型、中短期财务规划以及盈利目标保持不变,收购不会改变原有的盈利时间规划。Claros相关技术预计将在20282029年开始贡献增量,和公司800V HVDC氮化镓、碳化硅原有业务协同拉动未来增长。

在AI算力爆发的时代背景之下,电源不再是配角,VPD、IVR近芯片垂直供电,已经成为全球半导体行业争夺的关键赛道。此前多家国际半导体企业已经布局同类技术,Navitas本次收购,是宽禁带功率芯片企业向下游靠近处理器端电源延伸的典型案例。通过并购,企业把高压侧功率器件优势延伸至芯片侧最后一级供电,完整打通“电网xPU”全链路,也预示AI服务器电源架构将迎来新一轮变革。

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