英伟达提升8层HBM4采购占比，供应链生变

据了解，三星电子与SK海力士将提高面向英伟达的第6代高带宽内存HBM4产品中8层堆叠型号的出货占比。英伟达出于散热与供应链稳定性考量，希望获得更多HBM内存选型，这成为推动该变化的主要因素。下一代产品HBM4E同样很有可能将8层版本作为主力型号。

业内消息称，三星电子和SK海力士计划在今年下半年增加面向英伟达的HBM4 8层产品供货。此前，两家企业一直在为英伟达新一代AI加速器 “Vera‑Rubin” 系列供应HBM4 12层产品。HBM是将多颗DRAM垂直堆叠的内存，12层即代表堆叠了12颗DRAM芯片。业界预估，三星从今年第一季度、SK海力士从第二季度开始实现该款产品的正式量产供货。

但近期英伟达HBM供应链策略发生转变。综合来自三星电子、SK海力士内外多方消息，今年下半年，两家厂商将逐步提高面向英伟达的HBM4当中8层型号的供货比重，降低12层型号占比。一位内存半导体行业业内人士表示：“近期英伟达提出需求，希望把HBM4主力供货型号由12层调整为8层。据了解，两家厂商据此修改了下半年的供货计划。”

另一位业内人士谈到：“原本就存在一部分HBM4 8层的市场需求，今年下半年该需求进一步上涨，已经传导至上下游零部件的订单。虽然目前还无法判断确切占比，但面向英伟达的HBM4中，8层型号占比提升已经成为明确趋势。”

业内认为，多重因素共同促成本次转变。性能层面，散热问题愈发突出。相比上一代产品，HBM4的I/O输入输出通道数量翻倍达到2048个，不仅单颗芯片，整套服务器机柜系统的整体发热量都大幅上升。

供应链层面同样产生影响。全球科技巨头大举投入AI基础设施建设，当前HBM整体处于严重供货紧张状态。但HBM4在性能、集成度提升的同时，给良率带来挑战。HBM核心DRAM芯片的良率可以较快拉升，但完成12层堆叠、键合以及封装之后，整体良率会出现明显下滑。

据此分析，英伟达希望在原有HBM4 12层之外增加8层产品的采购量，为新一代AI加速器的内存容量储备多种方案选择。

一位半导体业内人士强调：“英伟达在新一代AI平台设计中将散热管控放在首位。这并非单纯下调单颗芯片规格，而是在寻找最优搭配，整个市场的总需求并不会出现大幅波动。”

HBM4的迭代版本HBM4E，原本规划以12层为主，现在也更倾向于以8层版本对外供货。HBM4E计划搭载于英伟达下一代AI加速器 “Rubin‑Ultra”。

一位内存半导体行业高层人士表示：“虽然也在讨论HBM4E的12层、16层样品，但结合与客户的沟通情况来看，明年即将供货的HBM4E，大概率会以8层作为主力。不过现阶段‘Rubin‑Ultra’究竟选用HBM4E还是HBM4，仍然存在变数，整个行业不确定性较高。”