台积电爆单，英特尔蓄力

Counterpoint Research联合创始人Neil Shah及其他分析师在接受采访时表示，台积电在将AI加速器与高带宽内存（HBM）集成到单一芯片上时遇到的困难，为英特尔争取代工客户创造了机会。

一份报告中指出，台积电的CoWoS先进封装技术多年来一直是英伟达、AMD、博通等AI客户的主力方案，但如今已成为产能瓶颈。

“HBM对台积电CoWoS硅中介层的依赖带来了高昂成本——封装厚度大、良率风险、产能受限和高昂的报废成本，这就为可靠的替代方案创造了机会，”Shah说。他补充道，英特尔已量产的EMIB先进封装，以及Z-angle memory（ZAM）和cross-batch memory（XBM）等长期方案，可以帮助AI芯片制造商摆脱台积电的中介层难题。

“大尺寸硅晶粒缺陷率较高。如果中介层在最终封装阶段失效，GPU晶粒以及附带的全部八颗或更多HBM堆栈就全部报废，”Shah说。“因互连或中介层缺陷而报废一个已组装的封装，意味着在最后一步毁掉了价值数千美元的晶圆。”

其他分析师也认同英特尔正在积蓄实力。

“英特尔在封装领域已经拥有一批重要的外部客户，未来几年增长潜力良好，”International Business Strategies首席执行官Handel Jones表示。“英特尔在封装方面技术不错，并且正在扩充产能，包括在新墨西哥州圣塔菲的基地。”Jones以与客户签有保密协议为由，拒绝透露英特尔代工客户的具体名称。

Shah指出，英特尔的EMIB已在Sapphire Rapids和Ponte Vecchio处理器等大批量产品以及定制加速器设计中得到验证。Counterpoint表示，其渠道调研显示，谷歌及其AI ASIC设计合作伙伴联发科将使用英特尔代工的EMIB-T，用于谷歌即将推出的TPUv9t（Humufish）、TPUv9t+（Triggerfish）及后续产品。

不过Counterpoint也指出，英特尔仍面临障碍。“台积电加HBM仍然是同时支持训练和推理的最安全、最灵活的通用平台，”Shah说。“英伟达和AMD迄今没有表现出多元化的意愿。与此同时，我们看到谷歌（与联发科合作）在寻求多元化，这将影响巨大，因为谷歌是全球第二大加速器公司。”今年5月，有报道称苹果可能向英特尔下单芯片，这笔交易受到美国总统特朗普的推动。特朗普政府去年已收购英特尔10%的股权。

先进封装通过将多个晶粒和chiplet集成到密度越来越高的封装中，延续了摩尔定律的效益。英伟达最新的AI芯片在单个封装中集成了两颗计算晶粒，晶体管数量达数千亿。Jones认为，从性能和功耗角度看，封装技术的提升将比台积电、英特尔等领先代工厂从2.0纳米向1.4纳米制程的迁移更为重要。

Counterpoint表示，英特尔的机会取决于及时的执行能力，以及来自谷歌、联发科和一线存储厂商的支持。EMIB连同ZAM和XBM将成为推动这一转型的因素。今年2月，英特尔与软银子公司Saimemory联合发布了ZAM——一种堆叠DRAM技术，将作为HBM的高能效替代方案。更长远来看，XBM将利用后道制程（BEOL）薄膜晶体管和串行UCIe链路来消除中介层。英特尔首席执行官Lip-Bu Tan近期也透露，存储对公司的重要性正在提升。

Counterpoint指出，台积电正在增强CoWoS以保持竞争力。报告提到，CoWoS-L在架构上与EMIB类似，使用小型的局部硅桥实现高密度晶粒间走线。英特尔将EMIB桥直接嵌入有机基板空腔内，而台积电则先将集成桥嵌入硅晶圆层中的中间再分布层（RDL），然后再附着到基板上。

“我倾向于认为台积电的CoWoS工艺良率非常出色，”分析师Mike Demler表示，“较新的CoWoS-L可能在早期存在一些良率问题，也有报道称（英伟达的）Vera Rubin出现过一些延迟，但据我所知目前没有良率问题。”Demler认为，“EMIB消除了中介层，而Foveros（英特尔的3D晶粒堆叠技术）提供了台积电所不具备的晶粒堆叠等功能，”他说。“至少，台积电的产能短缺给了英特尔争取客户的机会。”