SK海力士加速收窄与三星之间的DRAM产能差距

近日，有消息称，全球两大DRAM核心厂商的产能扩张策略出现明显分化。以晶圆投片口径统计，三星电子今明两年DRAM产能增长趋于平缓，SK海力士则维持较高的扩产速度，双方之间的产能体量差距将迎来显著收窄，AI存储时代下全球DRAM市场竞争格局正在发生结构性演变。

DRAM作为AI服务器、消费电子、工业设备的核心存储载体，产能规模直接决定厂商市场话语权，也深刻影响全球存储芯片的供给、价格与供应链安全。过去很长一段时间，三星电子凭借更早的资本投入、完善的产线布局，长期占据全球DRAM产能第一的位置，在通用DRAM、服务器内存以及HBM高带宽内存领域均拥有极强的体量优势。但从Omdia给出的20252027连续三年产能预测数据可以看到，两家韩系存储巨头的发展节奏已经出现明显分化。

数据显示，三星电子20252027年DRAM晶圆产能分别为769.5万片、817.5万片、828万片。对比来看，2026年产能同比增幅6.2%，2027年增幅进一步回落至1.3%，未来两年整体扩产力度有限，产能增量主要来源于现有产线的工艺优化与良率提升，并非大规模新建产线带来的产能释放。三星现阶段的核心战略不再盲目追求晶圆投片数量的扩张，而是把重心放在工艺迭代、良率改善以及产线结构调整上，推动老旧DRAM产线向1c nm先进制程升级，以此满足HBM4等高附加值AI存储产品的生产制造需求。对于三星而言，在AI算力爆发的大背景下，优先保障HBM等高端产品的产出能力，比单纯堆高总晶圆投片量优先级更高，部分老旧产线也在进行功能改造，适配HBM配套后端工艺，资源向高毛利产品倾斜成为主要方向。

反观SK海力士，未来两年将保持双位数的产能扩张节奏。报告给出的预测数据显示，SK海力士20252027年DRAM晶圆产能依次为606万片、666万片、729万片，2026年产能增幅达到9.9%，2027年继续维持9.5%的较高增速，扩产节奏显著快于三星电子。随着产能持续释放，两家企业的体量差距将快速缩小，三星相对SK海力士的产能优势将从2025年的27.0%，下降至2027年的13.6%，两年时间内差距近乎腰斩，DRAM市场双强博弈的态势进一步强化。SK海力士能够维持高速扩产，一方面源于新产线建设落地，另一方面依托其在HBM赛道积累的客户优势，来自全球AI头部企业的订单为产能消化提供基础，企业有充足动力持续加大资本开支，打开产能天花板。

两家企业截然不同的扩产策略，背后是AI存储浪潮下不同的经营取舍。当前AI服务器对DRAM，尤其是HBM高带宽内存的需求持续爆发，HBM产品生产需要消耗大量先进DRAM晶圆，同时堆叠工艺会带来良率损耗，同样一片晶圆，用于生产HBM可以获得远高于普通DRAM的经济效益。三星选择放缓总投片规模，把现有产线资源倾斜至1c nm先进节点，提升HBM4的产出能力，本质是优先追求产品盈利质量，而非单纯抢占通用DRAM市场份额。而SK海力士本身在HBM市场已经拥有稳固的客户基础，在继续做强高端HBM产品的同时，同步推进整体DRAM产能扩张，既抓住AI高端存储红利，也巩固通用DRAM领域的市场地位，实现高端与通用市场双线推进。

这一轮产能格局变化，也将对全球DRAM产业链带来多层传导效应。从供给层面来看，三星整体扩产保守，叠加行业整体把大量产能向HBM倾斜，全球通用DRAM的供给弹性会被压制，在AI算力需求持续释放的背景下，DRAM供需紧平衡的局面或将延续，存储芯片价格容易获得支撑。市场信息显示，三星、SK海力士、美光的2027年DRAM产能已经被头部云厂商、AI芯片企业通过长期协议大量锁定，中小下游客户获取现货的难度进一步加大。

对于下游产业链，分化效应会逐步显现。手握长期供货协议的AI服务器大厂、头部云厂商，能够优先锁定产能，供应链稳定性更强；而缺少长协保障的中小型服务器厂商、消费电子企业，未来两年会持续面临供货紧张、成本抬升的压力，产品利润空间或将受到挤压。同时，存储芯片成本上行，也会顺着产业链传导到AI服务器、PC、手机等终端产品，给终端厂商带来成本管控挑战。