EUV光刻胶原料大扩产！ADEKA产能直接翻倍

ADEKA宣布将扩产用于极紫外（EUV）光刻等先进光刻工艺的光刻胶用光致产酸剂（PAG）。公司计划在千叶工厂）现有厂房内增设产线，预计2028年9月正式投入商业运行。

随着全球半导体市场规模不断扩大，光刻胶市场也随之增长。与此同时，曝光技术迭代，再加上无PFAS等环保要求，对材料的性能与品质提出了更高的要求。在半导体材料业务板块，ADEKA将ArF光刻、EUV光刻这类需要超精细加工的先进光刻领域定为重点业务方向，持续推进化学放大光刻胶（CAR）所用PAG、金属氧化物光刻胶（MOR）所用金属化合物的研发，同时强化供货体系。

为应对旺盛的EUV相关需求，ADEKA将扩充千叶工厂面向先进光刻胶的PAG生产线，提升供货能力并优化生产体系。项目投资额约10亿日元，2027年1月启动施工，2028年2月完工，同年9月开启商业运营，预计产能将提升至原来的约2倍。

另外，2026年7月已正式投入使用的 “半导体创新中心”（埼玉县久喜市），正在开展聚合物键合型PAG单体的研发与性能评测。该产品相比传统共混型PAG，能够实现更精细、更高精度的电路图形制备。依托本次新增投资，聚合物键合型PAG单体的供货体系强化工作，将提前两年落地实施。

据介绍，半导体创新中心地上共7层，总建筑面积11545平方米。原设于东京荒川区的半导体材料开发研究所，以及久喜市材料解决方案中心中负责树脂材料等研究的后工序相关实验室，均整合至本大楼。研发区域面积相比原先扩大至2.7倍；洁净室面积也扩增至850平方米以上，为原有规模的2.5倍。

该建筑总建设费用约120亿日元。大楼1楼设置分析实验室，2楼为会议室，3楼布置洁净室，4楼为办公区，5‑7楼全部作为实验室。设计理念之一为 “技术融合”，2‑4楼的楼梯与平台区域设计为开放式空间，促进跨部门沟通协作。截至2026年7月1日，中心研发人员约150人。

850平方米以上的洁净室中，约80% 为千级（Class1000）洁净等级，剩余20% 为百级（Class100）洁净等级。内部配备多台ALD成膜设备及各类产品评测仪器，可并行、快速推进先进材料的研发工作。

目前，ADEKA的优势领域为存储器用原子层沉积（ALD）材料。存储器中的ALD技术，可以在存储电容上形成原子层级致密均匀的金属氧化膜，提升电荷存储能力，助力存储器实现大容量化。ADEKA称，其面向先进DRAM的ALD材料拥有全球第一的市场份额。依托半导体创新中心，ADEKA在扩大自身优势的ALD成膜材料研发范围的同时，加快逻辑芯片、后道工艺、封装等其他领域的技术开发，目标打造覆盖全赛道的综合半导体材料厂商。