存储芯片持续紧俏，华邦电子提前启动高雄Module B扩产计划

随着AI技术在全球范围内的深度渗透，存储芯片作为支撑算力的核心基础设施，正步入一个长期且强劲的增长周期。无论是云端大规模模型的训练与推理，还是边缘侧智能终端的广泛应用，均对数据存储提出了更高要求，导致利基型存储市场出现了显著的供需失衡，供不应求态势日益严峻。

在此背景下，全球利基型存储IDM龙头华邦电子宣布，提前启动中国台湾高雄路竹厂的扩产计划，将原定分期推进的二、三期工程整合为Module B工厂同步开发。预计2027年动工兴建无尘室，最快2029年初进入装机阶段。

优化扩产节奏，高雄项目“两步并一步”

据了解，华邦电子为了匹配市场的长期增长需求，此前就已启动过多轮产能提增工作。高雄厂Module A的月产能从原有约1.5万片快速推进，计划在2026年底提升至2.4万片，制程覆盖20nm与25nm，后续还将进一步导入16nm制程，预期2027年DRAM的位元产出能够接近翻倍。同时，为了实现区域生产调配，华邦电子也已同步将台中厂的DRAM月产能从1.2万片调整至7000片，把资源向产能利用率更高、产品结构更适配市场需求的高雄厂区倾斜。

为了承接客户已经开始洽谈的2029年之后的远期订单，华邦电子进一步加速了高雄路竹园区的扩展节奏，原本计划分为两期推进的扩产项目，直接整合为Module B项目同步加速推进，真正实现了“两步并一步”。目前，该公司暂未对外披露Module B项目的独立总资本支出预算数值，仅明确表示2026年全年资本支出约395-405亿元新台币，且Module B设备将依订单分阶段导入，未设定一次性总预算。

根据公开的项目规划，高雄Module B新厂房预计在2027年1月正式动工，洁净室面积约3万平方公尺，相当于一期厂房的两倍，最高可容纳每月5-6万片的产能规模，最快2029年初就可以启动装机，2029年底实现正式量产。该项目不仅将覆盖标准DRAM、CUBE客制化内存解决方案、WoW键合、硅电容器等品类，还提前预留了技术升级空间，可满足未来14nm、12nm级内存工艺升级需求，将在项目第二阶段正式导入EUV光刻机，为华邦电子布局2030年后的先进存储市场铺路。

锚定细分赛道，冲刺全球供应头部地位

在加码产能建设的同时，华邦电子也锚定了利基存储的细分赛道目标，持续强化自身的市场竞争力。在Flash业务领域，2026年第二季度，华邦电子的Flash营收环比大幅增长65%。其中，SLC NAND占Flash营收比重已经接近四成，产品线正从46nm、32nm稳步转进24nm，明确提出要在2027年前成为全球最大的SLC NAND供应商之一。针对AI服务器带动的NOR Flash需求红利，华邦电子也表示期望拿下AI服务器NOR Flash市场四至五成的供应份额，充分吃到AI产业的增长红利。

从2026年第二季度的财报数据也能直观感受到华邦电子本轮增长的强劲势能：当期合并营收达到598.43亿元新台币，较去年同期增长184.7%，营业毛利率达到66.2%，归属母公司税后净利为243.17亿元新台币，同比暴涨25629%，定制存储产品线占营收比重达到53%，混合平均售价环比增长约100%，充分体现出AI需求驱动下产品价值的大幅提升。

在行业需求持续扩张、远期产能已经被提前锁定的背景下，华邦电子这一轮加速扩产，既是对当下缺货行情的及时响应，也是提前卡位下一代先进存储技术、巩固自身在利基存储赛道领先地位的长远布局。