6万亿韩元，三星电子HBM封装扩产

三星电子位于韩国牙山温阳园区的HBM生产及先进封装工厂项目，已通过省级城市规划审批，将于9月破土动工，项目总投资6万亿韩元（约43.1亿美元）。该项目是三星扩大产能布局的一环，用以应对不断增长的AI内存需求。

忠清南道城市规划委员会批准了本次扩建项目。项目占地389825平方米，目标是提升高带宽内存（HBM）以及其他高性能AI半导体的产能。经与牙山市及三星协同推进，本次审批比原定时间提前一个多月完成。

目前建设工作定于9月启动。牙山市此前公布的开工时间为10月，9月为最新官方时间表。该项目也是韩国三大 “超级项目”（覆盖半导体、实体AI、AI数据中心）中首个进入施工阶段的项目。

温阳园区强化HBM封装职能

这座新工厂定位为面向数据中心HBM的先进半导体组装与封装厂区，规划建设31000平方米（9400坪）的洁净车间，目标2029年5月实现量产。扩建完成后，温阳园区总建筑面积将从约27万平方米提升至42万平方米，预计直接创造约700个就业岗位。

温阳早已是三星核心半导体后端厂区之一。三星介绍，邻近的天安厂区负责HBM、晶圆级封装以及其他核心后端工艺；温阳则承担质量验证、先进封装以及出货工作。

这一定位决定本次扩建属于后端封装项目，并非传统DRAM晶圆制造前道工厂。不过三星在整体投资规划中将其称作 “HBM工厂”，计划在温阳增设5条HBM产线，同时对天安厂区HBM相关设备进行扩容与升级。

这项6万亿韩元的项目只是三星大规模投资计划的一部分。牙山市的数据显示，三星在温阳的整体规划投资规模达46万亿韩元，包含这座新工厂、后续设备采购以及现有产线升级。

此前报道称，三星电子计划在温阳与天安两地合计投入56万亿韩元建设HBM封装设施。这笔投资隶属于三星集团针对忠清地区总额140万亿韩元的投资规划，该规划还涵盖先进显示、下一代电池、AI服务器封装基板等领域。

HBM需求旺盛，供给持续紧张

在AI基础设施投资的带动下，服务器内存需求持续走高，三星由此推进本次产能建设。

三星预计，2026年下半年，服务器DRAM、企业级固态硬盘以及HBM的需求增速将进一步加快。即便手机与PC端需求有所放缓，内存市场依旧会处于供给不足状态。尽管全行业都在努力扩产，但供给紧张的局面预计仍将延续。

三星已于今年二季度扩大HBM4供货规模，并向主要客户送出HBM4E样品。因此，温阳项目将新增先进封装产能，支撑三星下一代HBM业务扩张，同时在忠清地区搭建更完善的后端制造基地。

瑞银：明年HBM市场格局生变，三星跃居首位

不久前投资银行瑞银发布研报指出，依托HBM4产品，从今年至明年，三星电子HBM出货总量有望追上SK海力士。瑞银分析师Nicolas Gaudoin在客户备忘录中表示，明年三星电子HBM比特出货量占比将达到41%，登顶市场；SK海力士今年以48%份额维持第一，明年份额回落至39%跌至第二位；美光保持第三名，份额20%。

瑞银5月发布的报告原本预测三星电子将在2027年追平SK海力士，本次报告上调排名反转的时间节点。三星电子相关知情人士表示：“在HBM4认证进度与良率提升方面，三星推进速度最快。从超大规模云厂商认证以及量产爬坡节奏来看，市场走势大概率和瑞银的判断吻合。”

事实上，直至去年，英伟达采购三星HBM3E的意愿不强，但如今积极导入三星HBM4。AMD同样选定三星作为主力供应商，下一代AI系统Helios优先搭载三星HBM4。随着行业迈入HBM4时代，SK海力士长期占据的领先地位或将受到冲击。