摩根士丹利：成熟标准型DRAM及NAND下半年将迎来大幅涨价

近日，摩根士丹利发布最新行业报告警示，全球标准型DRAM与NAND闪存芯片的供应紧张局面将进一步加剧。这一轮存储芯片供给收缩并非需求下行后的周期性减产，而是由供给端产能结构性转移主导，各大存储芯片厂商持续把晶圆资源倾斜至高毛利的新一代存储产品，成熟通用存储的产能被持续挤压，进而带动全品类存储芯片价格同步冲高，下游PC、工业设备、服务器产业链都将承受成本上行压力。

报告指出，当前三星、SK海力士、美光等头部存储制造商，正将大量晶圆产能向HBM高带宽内存、DDR5、高层数3D NAND等面向AI算力场景的新一代产品倾斜。HBM作为AI服务器核心组件，制造工艺复杂，单颗产品晶圆消耗量远高于普通DRAM，大量晶圆被HBM生产占用，直接压缩了DDR4、SLC NAND这类成熟产品的晶圆分配额度，成熟存储产品在市场的供货占比持续下滑，形成供给端的收缩缺口。尽管DDR4、SLC NAND属于迭代较早的存储方案，但在工业控制、网络设备、存量服务器、嵌入式设备等领域拥有大量刚性需求，大量设备受硬件架构限制，无法快速切换至新一代存储规格，需求保持稳定，供给收缩与刚性需求叠加，直接推升涨价预期。

针对下半年价格走势，摩根士丹利给出较为激进的预测，以DDR4为代表的成熟DRAM，预计2026年第三季度价格将大幅上涨50%，第四季度继续上涨10%。相比之下，SLC NAND闪存的涨势更为迅猛，机构预计2026年第三、第四季度，SLC NAND每季度价格涨幅均将达到50%，短期价格上行压力显著高于DDR4，工业级、车规级设备供应链将直面物料成本暴涨的挑战。

不止成熟存储产品，新一代DDR5芯片同样陷入价格持续走高的行情。美国银行监测数据显示，24GB DDR5-5600/6400芯片8月现货价格单月再度上涨8%，该型号芯片的年度涨幅已经达到483%。回溯2025年年中，24GB DDR5芯片现货价格仅约8美元，截至2026年8月，市场价格已经逼近47美元关口，一年之内价格出现数倍跃升，高端服务器、AIPC的物料成本被持续抬高。

以往存储行业的周期波动，大多来自下游消费电子需求的起落，厂商通过调整开工率平衡市场供需。而本轮周期具备明显的结构性特征，AI算力的爆发式增长重构存储产业的资源分配逻辑。HBM、高端DDR5可以带来更高的产品毛利，驱动原厂主动调配产线资源，即便普通通用存储产品订单饱满，也很难重新获得足够的晶圆配额。同时新建存储产线建设、设备导入周期漫长，短期之内很难有大规模新增产能来填补成熟存储的供给缺口，行业库存已经回落至历史低位，缓冲空间有限，涨价周期或将维持较长时间。

全品类存储同步涨价，成本压力沿着产业链逐层传导。对于服务器厂商而言，AI服务器核心物料HBM持续紧缺，传统服务器又面临DDR4涨价，双重压力压缩利润空间。工业、网络设备厂商高度依赖DDR4、SLC NAND，核心存储物料价格翻倍，要么压缩自身利润，要么上调终端产品售价。消费端市场同样受到波及，PC、整机模组厂商的内存采购成本抬升，下游终端产品存在调价可能性，DIY消费市场也会直面内存条、固态硬盘现货价格走高的现实。

市场也存在分化现象，头部云厂商、大型设备企业大多通过长期供货协议锁定产能，能够一定程度对冲现货涨价冲击，而中小型制造企业、中小模组厂商更多依赖现货市场采购，受价格波动冲击更大，部分中小企业或将面临拿料难、成本失控的经营难题。部分下游企业已经开启提前备货，进一步放大现货市场的采购需求，加剧短期供需紧张的局面。

机构同时提示风险，存储价格持续暴涨也会反向抑制部分下游需求，当价格上涨到一定阈值，部分客户会通过调整产品规格、寻找替代方案来对冲成本，届时涨价动能会迎来拐点。但就2026年下半年来看，供给端产能格局很难发生实质性改变，DDR4、SLC NAND、DDR5的价格上行趋势具备较强支撑。

整体来看，AI算力浪潮带来的不仅是HBM单一品类的紧缺，更是整个存储产业的产能重构。在AI算力持续抢占晶圆资源的大背景下，传统存储不再是被时代淘汰的低端产品，供需错配之下，成为本轮存储超级周期当中弹性极高的板块，产业链上下游企业需要做好中长期成本上行的应对预案。