三星电子预计今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发

据报道，三星电子有望先于SK海力士完成10纳米级第七代DRAM，即1D DRAM的研发。业内消息称，三星目标在2026年9月完成研发，SK海力士则计划2026年12月完成，三星取得约一个季度的领先优势。

如果该时间节点如期落地，三星将重新夺回在1C DRAM时代丢掉的技术研发领先地位。SK海力士曾在2024年8月宣布，已完成基于1C工艺的16Gb DDR5研发，当时占据行业领先位置。

三星在量产导入上进度同样更快。三星计划2026年12月启动1D DRAM的量产转产工作，而SK海力士预计要到同期才完成研发。按此时间，三星将在研发、量产导入两个环节均实现领先。

消息人士表示，三星的良率提升进度超出市场预期，但并未披露具体数值。据悉其热测试良率已经达到目标水平，当前重点提升冷测试良率。良率代表功能正常的芯片占比；而产品就绪度还需要综合考量性能与成本竞争力。

不过知情人士透露，三星1D DRAM整体产品就绪度仍有待完善。当前研发阶段方案还不能直接适配大规模制造，三星正在调整产线工艺、简化部分工序，优化制造流程。另一边，SK海力士已经将研发完成时间从2026年8月推迟至2026年底，目前仍在攻坚热测试良率，量产转产目标调整至2027年6月。

Q2 DRAM排位：三星力压SK海力士，重新登顶

根据Counterpoint Research《2026年第二季度全球内存追踪报告》，三星电子在2026年第二季度重新登顶DRAM市场，市场份额扩大至39%，这一份额水平上一次出现还是在2024年。一年前，三星将龙头位置拱手让给SK海力士，如今实现强势逆转。与之形成对比的是，SK海力士DRAM市场份额从2025年第二季度的39%下滑至2026年第二季度的26%，即便该公司季度营收同比暴涨214%。全球存储三巨头之一的美光科技同样交出亮眼季度业绩，凭借25%的市场份额，几乎追上SK海力士，争夺行业第二名。自2023年下半年AI浪潮兴起以来，美光一直保持强劲增长态势。

随着AI应用持续落地，先进算力基础设施加速建设，DRAM市场需求持续供不应求。一方面带动服务器CPU所用通用DRAM需求上涨，另一方面也推动GPU搭载的新一代高带宽内存（HBM）加速普及。

2026年第二季度全球DRAM营收市场份额

Counterpoint高级分析师Jeongku Choi在点评三星业绩时表示：“三星突破各项阻碍，业绩较去年同期实现亮眼反转。通用DRAM需求旺盛、价格上行给公司带来利好，同时三星也在持续扩大HBM市场份额。展望后市，2026年第三季度DRAM价格有望再度上调，三星盈利或将进一步增长。”

2026年第二季度，通用DRAM价格环比大幅上涨；而HBM价格同比走低。受存量HBM3E产品降价、叠加HBM4上市延期影响，HBM均价下滑尤为明显。不过随着通用DRAM涨价，市场预计HBM相对偏低的价格明年将迎来大幅反弹。

研究总监MS Hwang指出：“尽管SK海力士单季营收、利润均创下环比与同比新高，但增长速度不及竞争对手。三星和美光双向挤压，导致其市场份额缩水。”

Hwang进一步分析：“需要从两个角度看待这一现象。第一，在各家厂商中，SK海力士HBM出货量与营收占比最高，因此HBM均价下跌对其冲击更大。第二，SK海力士比竞争对手更早签订长期供货协议（LTA）。长期合约设定价格上下限，早期在存储涨价周期敲定的合约固定价格，低于当前市场价位。”

随着搭载英伟达Vera Rubin、AMD Instinct MI455X GPU的服务器机架陆续出货，HBM4出货量自2026年第三季度开始持续攀升。产品结构随之调整，HBM价格的跌势将会收窄。

DRAM市场持续景气，行业竞争进一步加剧。研究副总裁Neil Shah谈及市场竞争格局时称：“根据我们测算，自2025年第二季度至今，美光DRAM营收增长至原先五倍，有望很快超越SK海力士升至行业第二。美光以往态度偏保守低调，但当前竞争白热化，胜负关键在于谁拥有充足产能、不错失市场红利，以及长期供货协议的签订情况。”