SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠，导入晶圆键合技术

来源：半导纵横发布时间：2026-08-10 12:54

SK海力士

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SK海力士确认其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。

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