HBM排位迎来拐点，瑞银预判三星明年反超SK海力士

市场预测，三星电子有望超越SK海力士，在明年登顶高带宽内存（HBM）市场。行业最大客户英伟达正在提高第六代HBM（HBM4）产品采购占比；新晋采购大户AMD也将三星电子列为核心供应商，在其Helios AI平台优先采用三星HBM4产品，进一步巩固三星的行业地位。

瑞银：明年HBM市场格局生变，三星跃居首位

投资银行瑞银发布研报指出，依托HBM4产品，从今年至明年，三星电子HBM出货总量有望追上SK海力士。瑞银分析师Nicolas Gaudoin在客户备忘录中表示，明年三星电子HBM比特出货量占比将达到41%，登顶市场；SK海力士今年以48%份额维持第一，明年份额回落至39% 跌至第二位；美光保持第三名，份额20%。

瑞银5月发布的报告原本预测三星电子将在2027年追平SK海力士，本次报告上调排名反转的时间节点。三星电子相关知情人士表示：“在HBM4认证进度与良率提升方面，三星推进速度最快。从超大规模云厂商认证以及量产爬坡节奏来看，市场走势大概率和瑞银的判断吻合。”

事实上，直至去年，英伟达采购三星HBM3E的意愿不强，但如今积极导入三星HBM4。AMD同样选定三星作为主力供应商，下一代AI系统Helios优先搭载三星HBM4。随着行业迈入HBM4时代，SK海力士长期占据的领先地位或将受到冲击。

SK海力士加大HBM资本开支，但产能扩建空间受限

SK海力士选择扩大资本开支予以应对。瑞银提到，SK海力士管理层在二季度财报会议上将全年资本开支目标上调至40万亿韩元上方区间。不过分析师认为，SK海力士现有生产基地集中在京畿道利川与忠清北道清州，扩建速度天然受限；反观三星，在平泽拥有大量闲置地块，产能拓展空间更充足。

SK海力士同时透露，长期供货协议（LTA）续签进度快于预期，目前已签下十份合约，合作方包含美国超大规模云厂商以及主流终端OEM厂商。瑞银分析，长期合约虽然短期会限制产品涨价空间，但长期有利于企业盈利水平与股东回报。

业绩数据同样体现出，SK海力士HBM4迭代进度落后于三星。瑞银数据显示，SK海力士二季度DRAM平均销售价格（ASP）环比仅上涨30%，主要原因在于HBM4直到季度末期才启动大规模出货。三星率先实现HBM4量产上量，并向英伟达、AMD持续供货；SK海力士HBM4切换节奏偏慢，单价提升红利落地时间相应延后。

2027年HBM价格有望翻倍

Aletheia Capital 6月发布的研报解读HBM与DRAM行情，此时德国市场最新存储报价显示，6月存储价格再度大幅攀升。数据显示，德国零售端DRAM价格同比涨幅达到三位数，环比涨幅也实现两位数增长。具体来看， 2x 32 GB DDR5-6000 CL28这类产品环比涨价22%；整体DDR5存储芯片6月价格同比大涨419%，较5月同比涨幅再提升5个百分点。

尽管当前存储价格涨幅已十分可观，但Aletheia Capital判断后续仍有巨大上涨空间。机构在最新研报中表示，持续涨价将大幅抬升美光的每股收益。

Aletheia Capital给出预测，2026年第三季度DRAM平均销售单价（ASP）环比大涨30%，相比此前10%-15%的上调预期大幅上修；机构同时维持原有判断，预计第四季度DRAM价格将再度上涨10%-15%。

与此同时，机构预判未来数月HBM价格也将迎来显著上涨。Aletheia指出，2027年HBM均价同比或将翻倍。机构分析称：“存储器件正逐步成为AI硬件体系里最核心的零部件，2027年存储硬件整体价值占比预计突破70%，而2025年这一数值仅在45%左右。”

存储涨价会推高SOCAAM成本，进而传导至英伟达Vera CPU整机定价。Aletheia测算，受存储高价影响，单台Vera CPU机架成本或将高达2600万美元。