DDR5 MRDIMM开启速率竞速：二代最高可达14400 MT/s，三代冲刺16000 MT/s

算力需求暴涨推动内存厂商加速技术路线布局，DDR5 MRDIMM的应用规模持续扩大。服务器与数据中心市场正快速采用MRDIMM标准，该规格带宽远高于标准RDIMM内存。第一代MRDIMM已经实现量产，速率可达8000 MT/s以上。

英特尔将率先在至强6（Xeon 6）平台提供8800 MT/s MRDIMM支持。而AMD发力支持最高12800 MT/s速率的MRDIMM。这类第二代MRDIMM内存现已全面量产；宜鼎国际（Innodisk）等厂商已经推出基于MRCD与MDB技术、速率12800 MT/s的产品。相较于DDR5-8000 RDIMM，该内存带宽提升60%，同时维持紧凑外形尺寸，兼容现有DDR5内存插槽。

与此同时，美光推出自研第二代MRDIMM方案，最高速率可达14400 MT/s，带宽相比DDR5-8000 RDIMM提升80%。该内存时序CL58，工作电压1.1V，采用24Gb存储颗粒打造96GB容量版本，后续还将推出其他容量以及更高密度配置。

瑞萨电子等方案商已经发布第三代MRDIMM芯片组，可将DDR5 MRDIMM速率提升至16000 MT/s，相比第二代产品带宽最高提升25%。这意味着服务器平台无需进行颠覆性的架构变更，即可释放更强的性能。

瑞萨持续提供经现场验证且可量产的MRDIMM平台，涵盖MRCD、MDB、电源管理IC（PMIC）、串行存在检测（SPD）集线器、温度传感器。这一平台化策略使客户能够在跨代升级中灵活扩展MRDIMM性能，同时保持设计的连续性并加速产品部署。

第三代MRDIMM基于成熟的第二代产品架构，在扩展性能的同时保留了标准DIMM的外形尺寸和系统兼容性。此外，第三代产品还增强了系统的可视性与稳健性，包括设备均衡自训练模式（DESTM）的质量指示状态，该功能使用户能够微调时序和接收端均衡训练，从而最大化裕量。

除性能提升外，瑞萨第三代MRDIMM解决方案在设计时充分考虑了系统级能效，旨在帮助客户在日益增长的带宽需求与系统层面的散热设计及功耗限制之间取得平衡。详细的功耗对比数据将在随附的产品文档中提供。

众多合作伙伴中，AMD将成为第三代MRDIMM的核心客户。AMD已规划在Zen 6 Venice与Verano产品线搭载12800 MT/s DDR5 MRDIMM，预计下一代Zen7 Florence平台将大规模采用第三代MRDIMM内存。

AMD计算与企业AI平台解决方案工程副总裁Amit Goel表示：“AMD长期支持基于开放标准的技术，助力数据中心创新，持续为AI与高性能计算业务演进提供更高灵活性。MRDIMM等下一代内存形态创新，叠加瑞萨的芯片组方案，将推动行业实现更高带宽、更优能效，持续拓展平台扩展能力。”

瑞萨称，第三代MRDIMM对应的MRCD（RRG5013x）与MDB（RRG5103x）芯片已向指定客户送样，预计2027年下半年正式量产。

展望未来，MRDIMM将持续在AI与高性能计算领域扮演关键角色。该方案在遵循现有DDR5标准的前提下，实现更高运行速度、带宽与能效；企业无需升级至DDR6，就能为现有硬件平台与部署方案实现性能升级。