2027年存储走势分化，DRAM紧缺、NAND供给缓解

TrendForce最新存储产业研究显示，2027年人工智能仍将是拉动存储需求的核心动力，但DRAM与NAND闪存两大市场走势或将出现分化。

DRAM市场方面，厂商持续调配产能生产HBM、AI服务器需求旺盛，叠加CPU配套内存与HBM采购规模持续扩大，DRAM供给将维持紧张状态，价格延续上行趋势。反观NAND闪存，随着新增产能投产，同时消费电子需求持续低迷，2027年下半年市场供给环境趋于宽松，价格下行压力加大。

DRAM供给增速预计落后于需求增长

TrendForce表示，受AI基础设施投资带动中长期需求增长影响，各大DRAM厂商已启动扩产规划。短期来看，2026年内厂商主要依托现有晶圆厂提升产能、推进工艺迭代、减少产线产品切换频次，最大限度拉升总比特出货量。

虽然多家厂商计划在2027年投产新增产能，但厂房建设、设备装机、原材料筹备需要周期，大规模量产将推迟至2027年下半年。结合半导体制造周期规律，新增产能要到2028年才能形成显著产出贡献。

除此之外，生产HBM所需晶圆数量远高于传统DRAM，晶圆投产数量提升无法同等转化为比特产出增量。多重因素共同限制2027年DRAM整体比特供给增速，市场供给维持紧平衡。

需求端，北美云服务商持续加大资本开支、英特尔与AMD新一代CPU平台陆续出货，叠加智能体AI进入商用阶段，将推动服务器需求进一步回暖。TrendForce预测，2027年全球服务器出货量同比增速将高于2026年17% 的同比增幅。

与此同时，单台AI服务器搭载HBM容量持续提升，SOCAMM等全新内存标准逐步落地，将显著提高单台服务器内存搭载量，支撑DRAM比特需求连续第二年保持高速增长。

与之相对，智能手机、笔记本电脑等消费电子市场依旧承压。元器件成本上涨持续传导至终端售价，抑制消费者换机意愿，预计2027年消费电子出货量延续下滑态势。

TrendForce测算，2026年DRAM供需充裕率约为 - 1%~-2%。2027年需求增速持续高于供给增速，供需缺口或将进一步扩大。

报告同时指出，2026年各大云服务商资本开支维持历史高位，部分厂商自由现金流已经转负。倘若2027年存储价格持续高位运行，存储采购支出在云服务商基础设施投资中的占比将继续抬升。这是否会最终影响云厂商投资规划与存储采购量，是后续需要重点观察的变量。

NAND闪存扩产重塑市场供需格局

2026年，NAND闪存厂商主要依靠工艺升级提升比特产能，并未开展大规模新增产能建设。受益于AI服务器、大容量企业级固态硬盘需求高涨，厂商优先生产企业级SSD产品，对冲消费市场盈利疲软的压力。

展望2027年，厂商加速布局更高堆叠层数NAND产品，叠加新建晶圆厂逐步量产，行业比特供给增速将明显高于2026年，整体产出大幅增加。

需求端，企业级存储依旧是主要增长引擎。服务器大规模上量将持续推动云厂商及企业客户采购高性能、大容量企业SSD，QLC固态硬盘有望占据NAND增量需求的最大份额。而消费电子需求持续低迷，终端涨价持续抑制消费端购买意愿。

TrendForce预判，伴随新增产能逐步投产、消费需求不见起色，2027年NAND闪存市场迎来结构性转变。机构此前预测，2027年NAND闪存供需充裕率将由负转正，市场从供给紧缺转向供需相对均衡。

不过TrendForce提到，如果智能体AI落地进程超出预期，高速固态硬盘需求有望显著提升，消化新增供给，推动整体市场进一步趋向平衡。