美产GB300 GPU下线，封装环节仍需运回中国台湾

英伟达与台积电刚刚达成一项重要里程碑，台积电已在其美国亚利桑那工厂完成首批英伟达GB300 GPU晶圆制造，朝着满足美国芯片本土生产的诉求迈出关键一步。

台积电于亚利桑那21号晶圆厂，采用4纳米工艺完成首批英伟达GB300AI加速GPU的晶圆代工。但这批在美国完成晶圆制造的GPU，仍需运回中国台湾，完成CoWoS先进封装工序，之后才能交由整机厂商组装成服务器。

由此可见，台积电现阶段只需完成CoWoS先进封装产线的美国本土化落地，就能实现美国政府反复要求的、AI芯片全流程本土制造目标。

值得一提的是，鸿海已在得克萨斯州休斯顿建成GB300 AI服务器生产基地，纬创也于得州达拉斯搭建了服务器组装产线。

台积电计划在美国投入2650亿美元搭建本土产线，其中包含两座落地亚利桑那的先进封装工厂，搭配全新晶圆厂，形成完整芯片制造产业集群。待台积电CoWoS、SoIC封装工厂投产后，英伟达Blackwell、Rubin系列芯片全流程加工都可在美国本土完成。台积电还规划在2028年前，将N2、A16先进工艺落地美国。

台积电董事长兼总裁魏哲家在最新法说会上表示，在美国主要客户及联邦、州和地方政府的支持下，台积电将在亚利桑那州再投资1000亿美元。新投资将主要集中在2纳米及更先进的工艺领域，计划新增四个生产设施，进一步支持美国客户对人工智能、高性能计算（HPC）及其他先进芯片的多年需求。包括此次投资，台积电在美累计投资达到2650亿美元，标志着其海外扩张进入新阶段。

魏哲家强调，中国台湾仍是台积电最重要的研发和制造基地，海外拓展是应对客户本地制造、供应链安全和长期需求的关键战略。随着美国的进一步投资，台积电亚利桑那将拥有12个晶圆制造和先进封装设施，以及一个研发中心，逐步构建全面的先进工艺、封装和研发能力，打造最完整的海外人工智能芯片制造基地。

台积电位于亚利桑那州的首个晶圆晶圆（P1）已采用4纳米工艺实现量产，而第二个晶圆晶圆（P2）将引入3纳米工艺，预计于2027年下半年投产。 第三代晶圆厂（P3）计划采用2纳米、A16甚至更先进的工艺。 供应链显示，P4和首座先进封装厂的建设预计将逐步启动，逐步补充SoIC和CoWoS等先进封装能力，建立从晶圆制造、先进封装到系统集成的一站式供应链。

除了美国，台积电的全球扩张也在同步推进。中国台湾依然是先进工艺与封装研发及量产的核心，未来几年将建成13座先进工艺晶圆和封装厂；为支持3nm需求，台积电同时在中国台湾、美国和日本增设三家3nm晶圆厂，并持续将部分5nm设备改造为支持3nm产能。同时，7nm、5nm和3nm工艺间的灵活产能调度旨在提升全球晶圆制造生产效率。

值得一提的是，今日下午日本熊本县附近发生7.1级地震，震源深度10公里，日本地震发生后台积电正在检查日本熊本的工厂情况，熊本工厂人员已疏散。