Rapidus新建芯片分析、先进封装产线

Rapidus正在完善其位于北海道千岁市晶圆厂周边的半导体研发与生产体系，新增芯片分析、先进封装产线，同步配套2纳米逻辑芯片前端中试生产线。截至2026年3月，北海道地区落地的半导体相关产业投资项目已达169个，较两年前新增超50个。此番扩建浪潮，源于Rapidus筹备先进芯片量产，带动当地同步落地制造、科研、人才培育全链条配套基建。

Rapidus此前连发两则公告称，公司在自有智能制造创新基地（简称IIM-1）旁新建芯片分析中心；同时在邻近的精工爱普生厂区落成Rapidus芯粒解决方案中心（简称RCS）。

芯片分析、封装业务与前端中试线形成完整配套

芯片分析中心可完成先进逻辑芯片研发所需的物理、环境、化学检测，以及芯片电学特性表征与可靠性测试。RCS作为后端工艺与先进半导体封装研发枢纽，Rapidus于2024年10月在精工爱普生千岁厂区启动场地筹备，2025年4月完成洁净室建设并启动设备安装。该中心初期低负荷试运行，采用600毫米方形面板，试制出有机绝缘膜再布线层中介层样品。Rapidus称该样品为行业首创，并表示4月的落成仪式标志RCS进入全面投产阶段。

将晶圆制造、芯片样品检测、封装研发全部整合至千岁片区产业集群，旨在缩短芯片研发周期，方便潜在客户完成样品验证与工艺评估。各研发基地临近高速互通与港口，物流配套完善。Rapidus计划依托RCS中试线完成2.5D、3D封装工艺验证，针对不同应用场景，开发高性能芯粒封装的设计与测试技术。

Rapidus筹备2027财年实现量产

Rapidus旗下IIM-1基地前端中试线已于2025年4月投产，随后完成300毫米晶圆2纳米环绕栅极晶体管工艺验证。公司已向首批合作客户发放预发行工艺设计套件（PDK），搭建完整样品研发环境，暂未对外披露合作客户名单。

依据2026财年研发规划，Rapidus将扩大工艺设计套件的开放范围，提升样品制作精度与良率；同时完成短周期量产模式所需设备、物料传输系统、生产管理技术的全流程验证。公司目标于2027财年下半年实现先进逻辑芯片规模化量产。

日本经济产业省于4月追加6315亿日元（约合39.6亿美元）专项补贴，用于加速Rapidus的芯片研发。这笔资金是日本政府扶持本土先进芯片制造、完善芯片供应链体系政策的重要组成部分。

千岁地区科研配套持续扩容

各类科研院所与高校也在千岁周边持续加码半导体相关研发业务。

千岁科学技术大学表示，由LSTC牵头、日本新能源产业技术综合开发机构资助的项目，将主攻光电集成与先进封装技术。该项目计划采用6微米及以下工艺，完成光引擎与光学再布线中介层混合键合。研发目标包括：单位毫米传输带宽约10太比特/秒，芯片功耗降低至少40%。项目还计划在校内LSTC新大楼打造开放式先进后端工艺创新中心，可处理最大300毫米方形面板。

北海道大学已发布融合教学、科研、产业落地的半导体发展规划，正联合LSTC与比利时半导体研究机构imec开展后端工艺联合研发。由日本产业技术综合研究所（AIST）牵头建设的先进半导体样品试制中心，计划于2029财年投入运营，面向半导体设备厂商、元器件与材料供应商、高校及各类机构开放使用。

产业技术综合研究所另一项千岁片区项目采购公告显示，清水建设中标总金额6985亿日元的建设合同，承建暂定名为先进光刻研发中心的项目，合同工期为2026年3月27日至2029年7月31日。

千岁市还在JR南千岁站周边规划一处占地约45公顷的工业园区，地块出让计划定于2028财年启动；受现有工业园区全部满租影响，园区招商工作由原定2027财年提前至2026财年开展。

随着千岁片区持续落地各类科研设施与产业用地，当地产业布局重心，已从IIM-1单一厂区建设，拓展至覆盖全北海道、集产业投资、前沿科研、人才就业于一体的完整半导体产业网络。