镓仁半导体晶圆级厚膜外延片器件验证性能超越进口产品

镓仁半导体宣布，该公司生产的氧化镓同质厚膜外延片，在西安电子科技大学顺利完成无终端结构的 SBD 器件制备与性能验证。

本次验证所用的厚膜外延片，外延层厚度 10 μm、载流子浓度 1×10¹⁶ cm⁻³。验证结果表明，该器件耐压能力与导通特性表现优异，核心参数达到国际先进水平，关键指标显著优于日本头部企业同类器件，标志着我国大尺寸氧化镓同质外延材料在器件应用端取得了关键性突破。目前，该外延片持续现货供应，可为下游器件研发与量产提供稳定、即时的材料保障。