定了！长鑫科技7月27日上市

长鑫科技集团股份有限公司（简称长鑫科技，股票代码688825）发布官方公告确认，股票将于2026年7月27日在上交所科创板正式上市。本次发行定价8.66元/股，发行后公司总股本为6,688,088.6077万股（超额配售选择权行使前），发行完成后的总市值为5,791.88亿元。

DRAM 是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。我国是全球最大的DRAM需求市场之一，而全球前三家DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。

2025年下半年起，全球大模型、AI服务器建设带动高端DRAM需求暴涨，DDR5、HBM等高附加值存储芯片供需缺口扩大，存储行业走出持续数年的下行周期。长鑫存储业绩实现跨越式反转，2025年全年实现扭亏，归母净利润18.75亿元；2026年一季度营收508亿元，同比增幅719%，单季净利润大幅走高，上半年业绩指引区间净利润达500至570亿元，盈利基本面支撑资本化落地。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X到 DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据Omdia的数据，按出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

长鑫科技于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。同时，长鑫科技积极把握行业发展趋势，持续进行产品迭代，现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。当前长鑫已是国内唯一实现DRAM全流程IDM量产的企业，合肥、北京布局3座12英寸晶圆厂，月产能30万片，全球市场份额约7.7%产能规模位居中国第一、全球第四。

本次扣除发行费用后净额295亿元募资全部用于存储芯片主业，资金分配清晰：75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造；130亿元投入DRAM存储器技术升级；90亿元布局动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发。

存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目拟在发行人子公司上进行技术改造，逐步实现向中高端产品生产线工艺技术的切换，包括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，完成工艺产品线的改造升级。通过实施本项目，一方面可以实现DRAM生产线的技术改造升级，降低生产成本。另一方面也可以借本次技术升级改造，同步实施本土及新型设备、材料、零部件等的导入及合作，促进产业链、供应链本土化、多元化，增强公司抗风险能力。

DRAM存储器技术升级项目拟在DRAM存储器示范线项目上进行技术改造，包括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，核心升级内容包括工艺提升、产品迭代等。通过实施本项目，将发行人子公司提升至更新一代工艺技术平台。

动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目聚焦适配于未来先进DRAM所需要的前瞻技术研究，将以市场和客户需求趋势为基础，基于DRAM未来前沿技术发展方向，对适配DRAM的前瞻技术开展研发工作。发行人拟投入募集资金中的90亿元开展前瞻技术研发工作，拓展公司在相关领域的自主创新能力和研发水平，保持公司技术持续领先性。