首批12寸晶圆交付，联电硅光子产业化提速

随着AI数据中心高速传输需求快速攀升，硅光子量产正式跨入新阶段。 联电与SILITH共同宣布，联电新加坡12寸晶圆厂已完成首批量产硅光子晶圆交付，这不仅代表着双方合作正式由技术开发迈向高量产制造，也表明联电成功建立可支援AI数据中心与超大规模云端运算需求的12寸硅光子制造平台。

通过结合SILITH专有的硅光子架构、联电先进的制程整合技术、以及其经验证的绝缘层上覆硅制造能力，双方团队在18个月内即完成硅光子平台由开发导入量产的目标。目前该平台已展现达到量产标准的高良率与高可靠度，并已通过全球领先云端基础设施客户的认证，可进行大量布建。

联电表示，此次合作结合SILITH的硅光子设计能力，以及联电12寸晶圆制造与制程整合技术，成功支援SILITH每秒1.6Tbps（1.6T）高速光互连解决方案的量产需求，满足AI、高效能运算（HPC）及超大型数据中心对高速光通讯持续成长的需求。

SILITH技术长Jason Zhang表示，AI正以前所未有的速度推升光学带宽需求，硅光子已成为未来数据中心不可或缺的关键技术。SILITH持续打造涵盖可插拔光模组（Pluggable Optics）、共同封装光学（CPO）及未来光学I/O架构的完整硅光子平台，通过与联电合作，结合创新设计与12寸大量生产能力，可为新一代AI网络提供更高效能、更佳扩充性及更具成本效益的解决方案。

联电资深副总经理洪圭钧指出，此次成果展现联电在硅光子等跨领域技术的制程整合能力，以及协助客户快速完成规模化量产的实力。联电新加坡厂除具备完整12寸晶圆制造能力外，也是公司重要技术研发基地，因此能协助客户快速完成量产导入。

值得注意的是，除了首个硅光子客户产品量产之外，联电预计于2027年正式提供自有12寸硅光子平台，供更多客户进行产品开发与量产导入。延续SILITH每通道200G硅光子定制工艺成功商业化的成果，联电与SILITH正扩展其硅光子技术蓝图，以支持下一代每通道400G光互连。

作为关键里程碑，双方正合作开发每通道400G纯硅光子平台，采用高速马赫-曾德尔调变器（Mach-Zehnder Modulator，MZM） 设计架构，实现每通道400G的高速传输能力，同时维持与CMOS兼容的制程可制造性、量产扩展性与成本优势。

除每通道400G硅光子技术外，联电亦正携手生态系伙伴，开发以铌酸锂薄膜（Thin-Film Lithium Niobate，TFLN）为基础的解决方案，以满足未来超高带宽光互连需求。结合联电的先进封装技术，硅光子与TFLN两大平台将共同支持共封装光学（CPO）、光学I/O等高度整合架构，协助打造下世代AI基础建设。

据悉，本次合作HyperLight负责TFLN Chiplet平台设计与技术架构，联颖光电提供既有6寸CMOS晶圆厂量产经验，联电则进一步导入8寸晶圆制造能量，扩大整体产能规模。TFLN Chiplet平台自设计之初即以支持AI基础设施规模化量产为目标，整合了短距离IMDD（强度调变直接检测）架构的料中心可插拔模块、长距离同调性数据通讯与电信模组，以及共封装光学（CPO）等多元应用需求于同一量产架构。TFLN Chiplet平台可带来关键性能提升，包括极高的调变带宽、CMOS等级的驱动电压，以及超低光学耗损。对于涵盖各种互连距离的AI网络而言，TFLN能有效降低激光功耗，并支持CMOS直接驱动电压，持续提升通道速度同时降低整体功耗。