年产5万颗！Furiosa AI明年第二代芯片产能翻倍

Furiosa AI计划将芯片产能扩充一倍至5万颗，同时自研2nm制程Stork芯片，试图打破英伟达在AI推理市场的垄断地位。据Furiosa AI声称，第三代2nm芯片Stork具备业界顶尖推理性能；明年第二代芯片产能翻倍，冲击英伟达市场垄断。

早在今年5月，Furiosa AI就发布了面向RNGD（Renegade）平台的第三代AI加速芯片Stork。该芯片采用博通2nm工艺打造，这家韩国初创企业表示，凭借领先能效与最低单Token处理成本，产品将直接对标英伟达。业内消息称，Furiosa AI计划大幅扩产第二代大语言模型专用推理芯片Renegade（RNGD），明年产能提升至4万—5万颗，对比今年2万颗的产能实现翻倍。这也是这家韩国本土头部AI半导体企业首次对外确认明年量产规划。

当前2nm第三代芯片已进入试产阶段，预计2026年可产出2万颗。但Furiosa AI定下了更为激进的AI加速器扩产目标：明年整体芯片产能翻倍至4万至5万颗。企业表示，当下AI推理需求爆发，叠加自身产品近期市场反馈亮眼，因此决定大幅提升产能，应对激增订单。

Furiosa AI Stork芯片：颠覆市场的2nm AI推理芯片

随着Agentic AI需求持续暴涨，这款新一代芯片将全面深耕AI推理赛道。Furiosa AI第三代AI加速器核心亮点包括用2nm计算工艺搭配HBM4/4E内存，可为超大规模AI计算集群提供高带宽、机柜级互联能力；架构专为高负载推理任务优化，重点强化高速数据传输，单位功耗算力、Token处理密度优于市面能效最优的GPU；产品基于现已量产的第二代RNGD芯片迭代，现有客户包含三星SDS、LG人工智能研究院。

结合Furiosa AI披露的细节，Stork芯片平台搭载先进2nm计算裸片与HBM4/E内存规格。企业正与博通合作，借助其先进封装技术，将多颗硅裸片集成至单颗高性能AI系统级芯片（SoC）。

官方曝光示意图显示，这款第三代AI芯片配备12组HBM4/E内存位、两颗大尺寸2nm计算芯粒与两组IO控制器。若采用12层堆叠、单堆叠36GB规格内存模组，芯片总显存容量可达432GB。

除计算架构外，Furiosa AI还将搭载博通以太网与PCIe知识产权核，为大型AI算力集群实现更高带宽、机柜级高速组网。该芯片针对训练后采样等高负载真实AI业务优化，高带宽是核心设计目标，这也是企业选用最新HBM4/E标准的关键原因。

企业表示，自身架构侧重带宽优化，而非GPU依赖的线程调度机制，因此相比主流GPU方案，能效与Token吞吐速度更高。同时配套软件栈可帮助开发者快速部署全新AI模型，兼顾吞吐与低延迟需求。

Furiosa软件开发套件（SDK）搭载通用编译器，可自动将高层PyTorch代码映射至硬件芯片。若开发者需要精细化硬件调控，Furiosa虚拟指令集（Virtual ISA）提供声明式编程模型，既能实现硬件精准管控，又规避了传统GPU编程的不确定复杂逻辑。

Furiosa联合创始人兼首席执行官June Paik表示：“融合博通完备的硬件底层能力、Furiosa张量收缩处理器架构与行业领先软件栈，我们得以跳出单颗芯片层面，为Token算力工厂时代提供全套一体化解决方案。”

交付节奏方面，Furiosa AI第三代加速器预计2028年上半年启动样品供货，可满足下一代AI数据中心的算力需求。