产能扩张提速！SK海力士下半年将重启大连二厂扩建

据报道，搁置数年投资的SK海力士中国大连NAND闪存第二工厂，计划于今年下半年正式投产。此前受到先进设备入境限制、NAND市场行情低迷，该项目投资实质上陷入停滞；而今年NAND市场回暖、企业级固态硬盘（SSD）需求激增，搁置已久的大连二厂扩建投资有望重启。市场各界高度关注：凭借高带宽内存（HBM）热潮拉动DRAM业绩的SK海力士，能否依托大连二厂，全面兑现斥资11万亿韩元收购英特尔NAND业务的协同效益。

重启大连建厂投资，二厂下半年启动设备进场

业内消息称，SK海力士近期确认，计划今年下半年向中国大连第二工厂运送生产设备，正式推进新产线投资。知情人士透露，企业规划从今年下半年起逐步导入生产设备，至明年上半年完成全套产线搭建。目前大连一厂已完成192层制程升级投资与老旧设备替换工作。

业内评价，大连二厂是SK海力士旗下NAND生产基地中，扩产效率最高的据点。公司早在2022年举办当地开工仪式，对外公布投资规划，但随后NAND行业行情急转直下，项目投资实质上临时搁置。彼时存储行业整体下行，各大厂持续减产，企业投资重心全面转向HBM与DRAM，新增NAND扩产缺乏落地条件。

不过从去年下半年开始，继DRAM之后NAND价格触底反弹；叠加AI服务器大规模普及，企业级SSD需求快速攀升，市场对扩充NAND产能的需求再度凸显。韩国部分本土合作厂商已启动闲置NAND设备转运至大连的相关作业，海外设备商也透露收到该项目设备供货的预采购订单（PO）。

针对此事，SK海力士方面表示：“随着AI数据中心持续扩张，DRAM与NAND需求均高速增长，大连二厂重启投资的可能性大幅提升，但具体时间表尚未最终敲定。”

去年对大连工厂出资额同比大增52%

企业内部已全面筹备重启扩产。去年SK海力士向大连NAND工厂法人追加出资4406亿韩元，较前一年2899亿韩元的出资规模上涨52%。据悉，公司去年完成英特尔NAND业务全部收购交割后，重点推进生产技术自研落地与工厂运营体系稳定工作，自今年起全面启动产能扩张计划。

SK海力士早在2020年敲定以90亿美元（约合11万亿韩元）收购英特尔NAND业务，2021年先行接手SSD业务；去年年末完成全部交割，完整接收NAND设计知识产权（IP）与全套生产设备。同年，企业分批派遣数十名管理层、工程师等核心技术人员进驻大连工厂，开展系统核查、生产设备交接工作，核心工作包含英特尔移交产线的设备运维、工艺改良、质量管理体系重构，全力保障产线稳定运行；同时同步推进NAND芯片设计、制造、验证全流程体系整合。

另有行业观点认为，近期美国商务部工业与安全局（BIS）调整监管政策，以年度审批设备入境的新模式替代原有经核实最终用户（VEU）制度，大幅缓解了设备供货的不确定性，业内普遍认为新政策相比旧VEU体系，大幅降低企业实际运营压力。

一名行业相关人士表示：“过去两年，受中美管制叠加NAND行业寒冬双重影响，大连工厂投资优先级被后置；但今年行业行情、外部监管环境同步改善，迎来扩产窗口期。当前HBM已经成为业绩增长支柱，若NAND行情持续复苏，收购英特尔NAND业务的协同红利大概率将集中释放。”

三星加速推进中国NAND产线升级

与此同时，三星电子同样加码在中国的NAND闪存投资，加快西安晶圆厂向新一代V-NAND制程迭代。据悉，三星已于3月末实现第八代（V8）V-NAND量产，目前同步启动配套生产基建扩建工程。三星在3月30日完成产线升级：将原有128层V6产线改造为236层V8产线，现阶段已进入量产爬坡阶段，全力提升新一代NAND闪存出货规模。

加码扩产也体现在三星在中国资本开支的大幅增长上。据测算，这家存储巨头2025年对西安NAND工厂的投资额约3.04亿美元（折合4654亿韩元），同比增幅达67.5%。