长鑫DDR5在华硕AM5主板上最高跑至8400 MT/s

近日，华硕完成实测演示，旗下 AM5 平台主板多款搭载长鑫存储国产 DDR5 内存套装最高可超频至 8400 MT/s。

如今国内内存厂商新款 DDR5 产品普遍采用长鑫 DRAM 颗粒。金百达、雷克沙、光威等品牌已逐步减少三星、美光、SK 海力士三大原厂颗粒的采购，转而使用长鑫内存模组。

供应链切换的原因十分清晰：三大海外存储大厂正与头部 AI 企业签订长期供货协议，优先生产 HBM、LPDDR5X 等高附加值高端存储产品，通用 DRAM 产能大幅缩减。而长鑫的核心优势在于能够稳定供应足量颗粒，产品定价与海外原厂基本持平。

此前微星已为自家 AM5 主板推出优化版 BIOS，完善长鑫 DDR5 内存适配；如今华硕也面向 DIY 装机市场，公开演示对这款国产 DRAM 方案的完整支持。

华硕在 B 站官方账号发布题内容，通过实测证明金百达、雷克沙等品牌搭载长鑫颗粒的国产内存，可稳定突破 8000 MT/s。本次测试分别采用 24Gb、16Gb 两种颗粒规格的内存模组，最高达成 8400 MT/s，较微星此前测试的最高频率高出 200 MT/s。

本次演示平台选用华硕 B850M AYW Gaming OC WIFI7 W 主板，为双内存插槽设计；微星此前测试使用的是同规格双插槽 B850M MPOWER 主板。两款主板均具备优秀的内存兼容性与超频能力。

第一组测试产品为雷克沙 LD5U16G72C38BV 内存套装，官方标准频率 7200 MT/s，1.4V 电压下时序 CL38-48-48-86-134。保持基准电压不变，该套装超频至 8000 MT/s，时序 CL40-52-52-127-144。

第二组测试同样采用雷克沙内存，型号 LD5U16G76C38BV，搭载 16Gb 长鑫 DRAM 芯片，官方标称 7600 MT/s，1.4V 时序 CL38-48-48-96-144；实测超频至 8200 MT/s，时序 CL44-58-58-126-220。

最后一组为金百达 48GB DDR5 内存，内置 24Gb 长鑫 DRAM 颗粒，出厂标准 6000 MT/s，1.25V 电压时序 CL36-38-38-88-126；这套内存成功超频至 8400 MT/s，时序 CL42-52-52-126-200，超频表现亮眼。

系列实测再次印证，长鑫 DDR5 内存可在多款主板上稳定跑出 8000 MT/s 以上高频，微星此前也演示过四插槽平台接近 8000 MT/s 的运行效果。

对于国内市场而言，海外三大原厂内存供货严重紧缺，长鑫内存模组成为可靠替代方案。叠加未来数个季度内存价格持续上涨的预期，相比溢价走高的海外存储产品，国产 PC 内存配件具备更高选购价值。

这不是简单的价格驱动替代，而是供给端的真空倒逼出来的结构机会。当海外原厂的产能被AI订单锁定，留给通用PC内存市场的颗粒自然越来越少。叠加未来数个季度内存价格持续上涨的预期，国产PC内存配件的选购价值进一步凸显。

AI需求正在“抽干”通用DRAM产能

当地时间7月9日，美光宣布将美国本土长期资本开支目标上调至2500亿美元，目标到2035年将本土DRAM产量占比拉至40%。

美光此次千亿级扩产的核心驱动力非常明确：AI算力基础设施扩张带来的存储结构性紧缺。大模型训练、AI推理服务器、自动驾驶、人形机器人等新兴应用，将DRAM和HBM从传统电子配套元器件推升为算力体系核心战略硬件。

随着单台AI训练服务器的内存搭载量是传统数据中心设备的8至15倍；HBM作为AI加速卡刚需配套，2026全年产能已被头部客户长单全部锁定。美光最新财季营收突破415亿美元，毛利率攀升至84.9%，充沛的现金流为千亿级长期投资提供了财务底座。爱达荷州博伊西的首座先进晶圆厂，预计2027年年中才下线首片DRAM晶圆。这意味着从现在到2027年中，美光的新增产能还无法兑现。而纽约州的四座巨型晶圆厂，建设周期更长。

即使美光的千亿投资如期落地，未来两到三年内通用DRAM的供给紧张格局不会根本改变。更深层的逻辑在于，美光的2500亿美元投资方向集中在先进DRAM制程和HBM——1β、1γ先进制程迭代以及下一代HBM产品。这些产能瞄准的是AI高端存储市场，而非通用PC内存。即便新工厂投产，三大原厂的战略重心仍然是高附加值产品，通用DRAM的产能分配格局不会因扩产而逆转。

AI正在以前所未有的力度重塑全球存储芯片供应链，高端和通用市场的分化将持续加深。对于国产存储厂商来说，要在这段窗口期内将产品力优势转化为生态绑定，从颗粒供应到主板适配，从DIY市场向OEM整机渗透，真正建立起不可逆的市场地位。