绕开HBM！AMD推出首款LPDDR5X封装集成内存SoC

AMD推出旗下首款搭载封装集成内存方案的SoC产品——Versal Gen2，这款新品算力提升十倍。Versal Gen2舍弃HBM、改用封装集成LPDDR5X内存，支持15年长供货周期与PCIe Gen6。

Versal Gen2是AMD首款采用封装集成内存方案的SoC，当前全球半导体行业正面临DRAM供货短缺，叠加HBM产品价格持续暴涨，AMD选择将LPDDR5X内存直接集成于芯片封装内。

单颗Versal Gen2芯片最多集成4颗LPDDR5X存储芯片，最高内存容量32GB，速率可达9000MT/s，内存带宽最高288GB/s。这套MoP（封装集成内存）架构还具备其他核心优势：PCB板占用面积减少60%、产品供货周期延长至15年以上、整体算力提升十倍。

AMD转向MoP架构是一项颇具行业意义的调整。此举固然源于存储芯片持续缺货，但也为未来通用型SoC普及封装集成内存方案铺平道路；在x86领域，英特尔Lunar Lake是此前同类方案的代表产品。Versal系列基于Arm IP开发，这套新架构也为定制化SoC提供了解决未来数年存储芯片涨价难题的新思路。

搭载MoP架构的AMD Versa lPremium Gen2芯片，裸露电路与元器件实拍

AMD表示，工程师可基于该芯片搭建高带宽系统，省去板级内存设计的繁琐流程，规避相关研发风险、缩短开发周期。封装内最高集成32GB LPDDR5X，无需外挂DRAM即可提升内存带宽；最高提供288GB/s内存带宽，流畅承载AI推理、视频处理、网络安全等算力任务；相比独立外挂LPDDR5X方案，板卡占用面积缩减超60%，适配狭小空间与严苛散热约束；内存封装集成设计，助力打造小型化PCIe、PXI、VPX规格设备。

缩小硬件体积，释放带宽性能

凭借全新封装集成内存自适应SoC，AMD重新定义小型化系统的设计上限。将LPDDR5X直接集成进芯片封装，相比板载独立内存方案，在占用更小PCB面积的同时实现更高性能。

该方案落地了诸多外挂内存难以实现的硬件形态，例如企业与数据中心标准规格EDSFF、3U VPX设备；同时可满足电信、VPX军工设备的严苛指标，独立内存方案往往无法达标。

Versal Premium Gen2 MoP芯片内置硬件IP CXL 3.1与64Gb/s速率PCIe 6.0，搭配AMDEPYC处理器可实现高速数据传输，大幅加速数据密集型业务。芯片最高支持9000Mb/s速率LPDDR5X，可对接CXL内存池与内存扩展模块，给系统架构师提供更灵活的内存扩容方案。

面向长生命周期设备设计

Versal Premium Gen2 MoP自适应SoC针对工业、企业级AI严苛使用环境开发，支持-40℃至110℃宽温工业级工作区间，完美适配7×24小时不间断运行的关键任务设备，兼顾高性能与高稳定性。

依托LPDDR5X与15年以上供货周期支持，Versal Premium Gen2 MoP芯片可让产品生命周期脱离HBM短迭代、数据中心导向的更新节奏，规避因存储芯片停产、供货短缺导致整机被迫重新设计的风险。

PCIe 6.0新增的PCIe完整性与数据加密（IDE）功能，可在链路层加密传输中的数据，抵御硬件物理攻击；集成控制器内置DDR内存静态加密，无需占用可编程逻辑资源即可保护静态存储数据。硬件集成400G高速加密引擎，在不损耗吞吐性能的前提下，实现高带宽安全运算。

缩短产品上市周期

Versal Premium Gen2 MoP芯片搭载经过完整验证的封装内LPDDR5X接口，无需在PCB板上布设高速内存走线，大幅减少板级仿真与验证工作量，缩短研发周期、降低设计风险，避免成本高昂的电路板改版。

AMD Versa lPremium Gen2 MoP芯片将于2026年底启动工程样片交付，预计2027年下半年正式量产出货。