冲击美股！SK海力士正式提交IPO申请

6月30日，SK海力士向美国证券交易委员会（SEC）提交F-1招股说明书，正式启动美国首次公开发行（IPO）程序，拟发行美国存托股份（ADS），并申请在纳斯达克全球精选市场上市，股票代码为“SKHY”。

根据招股书，每份ADS对应一定比例的SK海力士普通股，发行规模、发行价格及ADS对应股份比例等核心条款尚未披露，将根据韩国市场股价及市场情况确定。本次发行完成后，SK海力士将在维持韩国KOSPI上市的同时，实现赴美上市。

此前消息称，SK海力士这次IPO将募资294亿美元，资金用于设施投资，包括龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州P&T7先进封装工厂建设及EUV光刻机采购等。

就在昨天，韩国总统李在明于青瓦台国家迎宾馆举办《韩国三大超级项目国家报告会》，三星电子董事长李在镕和SK集团董事长崔泰源现场对外公布两大集团十年本土产业投资规划，整体投资总额有望突破2000万亿韩元。崔泰源表示，“集团计划向AI数据中心项目投资约1000万亿韩元，向半导体产业集群扩建项目投资约1100万亿韩元，未来十年将持续在韩国本土落地年均超100万亿韩元的投资。”

SK海力士公布针对龙仁、清州、西南地区总规模达1100万亿韩元的中长期投资战略。其中向龙仁半导体产业集群投入600万亿韩元、清州生产基地投入100万亿韩元、西南地区新建半导体产业集群投入400万亿韩元。

龙仁半导体产业集群将原定2045年的竣工目标提前12年，调整至2033年。计划在2033年前完成第四座工厂（最终生产基地）的建设，随后分阶段导入各类生产设备与产线装备。目前龙仁一号工厂正处于施工高峰期，近期已完成土建与主体框架工程，进入无尘车间基础设施搭建阶段，目标于明年2月建成首座无尘车间。后续还将按顺序推进二至四号工厂的建设工作。

SK海力士将向清州投入100万亿韩元，用于新建闪存生产设施，并强化高带宽存储器（HBM）后端先进封装产能，投资范围预计涵盖先进封装基地P&T7以及前道工厂M17的后续扩建项目。SK海力士此前已宣布向现有P&T7项目投入约19万亿韩元；韩国政府方面曾表示，三星电子与SK海力士合计将在忠清道布局HBM封装工厂，总投资81万亿韩元。

SK海力士选定西南地区作为全新存储芯片生产枢纽，规划建设两座半导体工厂，分阶段投入总计400万亿韩元用于土地购置、厂房建造、生产设备引进等工作。不过具体选址与推进时间表尚未敲定，后续将与中央政府、地方自治团体协商后最终确定。

通过本次大规模投资，SK海力士将打造一条贯通龙仁、清州、西南地区的人工智能（AI）存储芯片生产产业链。集团总部所在地利川，则将持续承担核心枢纽职能，聚焦研发（R&D）与前沿工艺研发业务。

韩媒今日报道称，SK海力士正在与半导体设备厂商讨清州P&T7工厂所需的半导体检测设备供应事宜。各设备公司正在口头协调明年可交付的设备数量。设备行业预计，该工厂将订购约200台设备，其中包括HBM4测试仪。按每台15亿至20亿韩元的价格计算，总价最高可达4000亿韩元。

2025年SK海力士全年营收达97.1万亿韩元，营业利润47.2万亿韩元，营业利润率49%，净利润42.95万亿韩元。进入2026年增长进一步加速，今年第一季度，SK海力士营业利润跃升至37.61万亿韩元，创历史新高，超出分析师平均预期的35.7万亿韩元，销售额接近上年同期的三倍，达52.58万亿韩元。

HBM已成为SK海力士业绩井喷的核心驱动力。2025年公司HBM销售额同比增长逾一倍，占总营收比重提升至42%，贡献超19万亿韩元营业利润。Counterpoint Research估计，SK海力士在2025年第三季度HBM市场的收入份额高达57%，而主要竞争对手三星仅为22%，美光则份额更小。

赴美上市将使SK海力士获得全新的投资者群体，并有望缩小与竞争对手之间的估值差距。这既是其在AI算力产业链话语权提升的诉求，也是吸引全球资本关注的关键手段。