三星HBM4四个月狂揽10亿美元，SK海力士却放慢扩产脚步

存储大厂竞相加速新一代HBM技术竞赛之际，三星电子和SK海力士在HBM4发展上却出现了不同的策略。

据悉，目前三星HBM4产品营收已突破10亿美元，该产品今年2月实现量产，仅耗时四个月便达成这一规模，为行业首款达成该营收量级的HBM产品。结合截至6月末的业绩预测数据，三星HBM4营收有望突破12亿美元。

TrendForce表示，依托当前强劲的出货势头，三星凭借底层裸片采用4纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺，构筑起HBM4技术优势。由于三星HBM4客户认证进度领先竞品，市场机构小幅上调其全年出货预期，全年总容量预期从35亿吉比特上调至40亿吉比特。

而SK海力士放缓HBM4扩产节奏，将经营重心转向布局通用DRAM市场。业内分析认为，公司HBM营收占比已超40%，行业优势稳固，因此不再盲目参与扩产竞赛，转而调配产能资源，在供给严重紧缺的通用DRAM市场挖掘增量收益。

业内消息称，SK海力士原定计划将部分第五代HBM（HBM3E）产线切换至HBM4，目前该产线改造进度已延后。现阶段通用DRAM营业利润率高于HBM，企业计划提升通用DRAM供货能力以增厚利润。SK海力士在HBM市场根基扎实，因此判断无需急于全面切换至HBM4、HBM4E（第七代HBM）。

此番战略调整的核心原因，是通用DRAM与HBM出现盈利水平倒挂。按今年一季度数据测算，通用DRAM每吉比特单价虽仍低于HBM，但双方营业利润率差距已扩大15个百分点以上。大信证券预测，年内通用DRAM营业利润率有望攀升至理论峰值90%。

一名熟悉SK海力士内部情况的人士表示：“公司管理层也清楚，竞争对手三星电子已经依靠通用DRAM赚取高额利润，这一点无法忽视。”该人士补充道：“搭载HBM4的英伟达新一代Rubin芯片量产预期持续下调，公司也没有加速产线切换的动力。”

海外投行观点同样印证这一趋势。高盛评估认为，SK海力士在2026年之前，只需维持HBM3（四代HBM）、HBM3E（五代HBM）50%以上的绝对领先份额，业绩就具备充足保障。摩根士丹利则指出，驱动SK海力士估值的核心变量并非守住HBM市占率，而是存储行业整体价格周期；该行预计2026年DRAM平均售价将上涨62%，并据此将公司盈利预期上调56%至63%。

SK海力士在今年一季度业绩发布会上披露，DRAM平均售价（ASP）涨幅达65%左右，同时表示将重点满足高密度服务器内存模组与移动端存储产品的市场需求。公司与微软签订三年DDR5供货协议，也被视作其锁定通用DRAM长期业绩确定性的布局。

与此同时，SK海力士主动调控HBM4出货量，也为竞争对手三星电子腾出提升市场份额的空间。Counterpoint Research数据显示，SK海力士去年四季度HBM市占率达57%，业内普遍认为该占比后续将逐步回落；有观点预测，若三星电子今年下半年顺利实现HBM4量产，SK海力士HBM市场份额或将下滑至50%-60%区间。