SK海力士市值首次超越三星 长江存储NAND市占率升至全球第三

来源:半导纵横发布时间:2026-06-23 11:27
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AI HBM红利推升,SK海力士市值首次反超三星,长江存储NAND份额一年内大幅增长,跃升全球第三。

6月22日韩股收盘,AI算力存储红利推动SK海力士市值达到2080万亿韩元,小幅超越三星电子2066万亿韩元,终结三星长达26年韩国股市市值龙头地位。就在不足一个月前,SK海力士刚跻身亚洲第三家万亿市值科技企业,资本市场用超高估值印证HBM赛道垄断红利。同时Counterpoint最新数据显示,长江存储全球NAND闪存市占率自2025年同期8%攀升至13%,增速领跑全行业,占据全球第三

本轮SK海力士市值持续上涨,核心依托AI服务器刚需拉动的HBM高带宽内存垄断优势。作为英伟达核心供应商,SK海力士手握全球近六成HBM市场份额,新一代HBM4订单提前锁定至2027年,高端存储产品利润率突破70%,远超半导体行业平均水平。反观三星电子业务结构更为多元,消费电子、代工业务持续拖累整体盈利,存储板块利润被稀释,资本市场给予SK海力士纯粹存储赛道更高估值溢价,最终完成市值反超。

在DRAM与HBM高端赛道,韩企依旧牢牢掌握行业话语权,但NAND闪存市场的长江存储已经悄然追上。从2026年第一季度全球营收份额来看,三星以29%的市占率稳居第一,SK海力士则以18%的市占率位列第二,铠侠、美光、长江存储均以13%并列第四,四家厂商围绕全球第三名激烈缠斗。但在一年之内,长江存储份额提升5%,连续三个季度维持两位数营收增长,第一季度营收达26亿美元,同比暴涨445%,一举奠定自身地位。

在技术层面,长江存储自研的Xtacking架构实现294层3D NAND稳定量产,良率突破90%;三星当前主力量产286层产品,SK海力士321层堆叠的层数优势持续收窄,长江存储凭借独特键合工艺,在成本、接口适配层面形成差异化竞争力,消费级、企业级SSD颗粒批量导入海内外终端客户。

产能扩张是支撑份额持续走高的底层底气。长江存储武汉第三座晶圆厂预计2026年底投产,2027年全面释放产能,同时企业官宣规划新建两座全新NAND工厂,远期总产能将实现翻倍。在海外布局上,长江存储旗下致态品牌正式登陆韩国本土市场,推出全系列消费级固态硬盘,直接切入三星、SK海力士深耕数十年的本土垄断市场。多重动作叠加之下,韩国存储厂商普遍预判,若长江存储维持当前扩张节奏,2026年底市占率有望冲击15%。

长江存储的追赶并非短期行情,而是具备长期可持续性。一方面,Xtacking架构迭代周期稳定,不受海外高端设备严格约束,工艺迭代节奏不输海外大厂;另一方面,为国内算力、终端、服务器庞大内需市场提供稳定基本盘,致态品牌同步拓展东南亚、欧美海外渠道,内外市场双向放量。对比海外厂商,长江存储兼具成本、交付、供应链安全多重优势,持续分流原本属于三星、SK海力士的订单。

从全球存储产业竞争逻辑来看,本轮格局分化具备标志性意义。过去全球存储市场长期由美、韩企业垄断,DRAM、NAND双赛道均由海外巨头掌控定价与技术节奏;如今HBM高端内存依旧是韩国厂商的护城河,但NAND赛道已经出现国产厂商突围的明确拐点。SK海力士市值登顶,代表AI高端存储红利集中于少数掌握HBM技术的企业;而长江存储份额暴涨,则证明成熟存储赛道国产替代具备极强可行性,两条线索共同重构全球存储产业链分工。

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