Intel 18A-P制程已进入风险试产阶段

在2026年VLSI（超大规模集成电路）国际研讨会上，英特尔代工部门介绍，Intel 18A-P作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，现已进入风险试产阶段。借助Intel 18A制程节点，经将全环绕栅极（GAA）晶体管和背面供电（BSPD）技术推向市场。此外，英特尔代工还介绍了未来芯片微缩相关领域的研究进展：在互补场效应晶体管（CFET）方面，英特尔展示了单片式CFET反相器，其NMOS与PMOS器件垂直堆叠，栅极间距为45nm；英特尔展示了300mm晶圆上的单片集成技术，将氮化镓功率器件与硅基逻辑（包括一个约1,000个逻辑门的数字控制模块）集成在一起；英特尔还展示了采用空气间隙集成的减成法钌互连技术，与铜互连相比，电容降低高达约35%，且频率提升显著。