三星亮出全球首款HBM5样机,散热成下一代存储战场

来源:半导纵横发布时间:2026-06-04 09:46
三星电子
HBM
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三星能否追回被失去的HBM市场?

三星电子正式对外展出全球首款第八代高带宽内存HBM5实体样机,同步公布名为Heat Path Block(HPB)的全新散热架构,并确认 HBM5 底层逻辑晶圆将采用 2 纳米工艺制造。此番发布释放出三星意欲引领下一代 AI 内存竞赛的信号,但本届展会暗藏行业竞争反差:就在前一日,英伟达 CEO 黄仁勋到访 SK 海力士展台,在一片 HBM4E 晶圆上写下 “加大量产” 字样,还在 SK 集团会长崔泰源面前称赞该公司有望冲击万亿美元市值,也让 SK 海力士拿下本届展会上英伟达最受瞩目的公开站台背书。

三星器件解决方案事业部总裁兼首席技术官宋宰赫在三星显示展区向媒体现场讲解 HBM5 样机。本届展会三星存储事业部并未单独搭建展位,在开展前十天才敲定方案,借三星显示展区一隅完成产品亮相。宋宰赫的发言核心落脚于全栈系统集成:散热管控、封装工艺与晶圆代工能力的重要性,现已比肩内存裸片本身的硬件性能。“人工智能并非单一技术门类,” 他表示,“内存、封装、散热等全链路系统优化至关重要。”

HPB 散热架构:化解堆叠内存层间积热

三星 HBM5 发布环节的核心技术亮点为 HPB 散热结构,该方案在 HBM 封装内部多层堆叠裸片之间增设专属导热通路。伴随 HBM 产品迭代,堆叠层数与传输速率持续走高,层间积热效率远超传统封装的散热极限。宋宰赫介绍,HPB 原理近似烟囱结构,依靠独立导热通道将热量导出裸片接触面,降低热阻,保障芯片高负载长时间稳定运行。

三星表示,HPB 结构完整性与封装可靠性已依托HBM4E完成落地验证,这款第七代产品已于 2026 年 5 月 29 日启动样品出货,单颗堆叠带宽可达 3.6TB/s,基准引脚速率 14Gbps,可向上扩容至 16Gbps。相关散热技术经过 HBM4E 实测落地后,将在 HBM5 产品中全面搭载。

这套散热方案有着明确的现实产业诱因。据知情人士透露,2024 年三星 HBM3E 产品因功耗与散热缺陷没能通过英伟达准入认证,直接错失整代产品的英伟达供货订单。HPB 正是三星针对此前产品缺陷推出的底层架构改良方案,将散热优化嵌入堆叠封装内部,而非依靠外置散热方案补救。

HBM5 底层逻辑晶圆升级至 2nm 工艺

HBM 产品由上层 DRAM 存储裸片与底层对接主控的逻辑基底裸片组成,三星 HBM4、HBM4E 的基底裸片均采用自研 4nm 工艺,而三星在本届 Computex 确认,HBM5 基底裸片将升级为 2nm 制程,以此优化基底芯片功耗表现与数据吞吐效率。

三星存储研发团队早在2026年 3 月英伟达 GTC 大会上便对外透露 HBM5 相关路线,本次展会的关键增量在于拿出可落地的实体样机,方便终端硬件设计厂商与英伟达研发团队参照开展下一代整机方案设计。

展会场外竞争:英伟达公开力挺 SK 海力士

本届展会的行业博弈氛围格外鲜明。6 月 1 日周一,黄仁勋到访 SK 海力士展位,除在 HBM4E 晶圆上题写增产寄语,还在 SK 海力士内存模组上写下 “Love SOCAMM”,SK 集团官方将该举动定义为双方持续深耕 AI 基础设施合作的佐证。同日晚间韩国合作伙伴专属晚宴上,黄仁勋当着双方管理层的面夸赞 SK 海力士的万亿市值前景,三星存储事业部副总裁金宰俊也列席本次晚宴,三星 CTO 则在次日展会正式对外发布 HBM5 技术。

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SK 集团会长崔泰源在自家展台直言,当前仅有英伟达一家客户大批量采购 HBM4E。这番表态被业界视作对标三星 “率先量产 HBM4E 样品” 的宣传逻辑:在单一头部采购方主导的市场环境中,样品首发优先级,远不及拿下头部客户定点订单。

Trendforce测算,2026 年 SK 海力士全球 HBM 容量出货占比约 50%,三星份额提升至 28%;SemiAnalysis 认为,SK 海力士将持续领跑 HBM4 供货市场,三星虽稳步追赶但尚未实现份额反超。

HBM5 商用周期与潜在变量

对于英伟达 Vera Rubin 平台以外的整机硬件选型厂商而言,本次 HBM5 亮相更多起到路线参考作用,暂无法纳入采购清单。现阶段 HBM5 尚未量产、缺少明确客户认证节点,性能参数也无第三方实测数据佐证,三星展出内容仅为架构原型与路线承诺。韩国科学技术院及多家行业研究机构预判,HBM5 规模化量产窗口落在 2028 至 2029 年,单堆叠带宽目标 4TB/s,性能较现役 HBM4E 翻倍,产品面向英伟达下一代 Feynman 平台(Vera Rubin 迭代两代后的产品)。

此外三星仍存在专利诉讼隐患:美国国际贸易委员会自 2025 年 9 月受理 Netlist 投诉后,仍在调查三星 HBM 与 DDR5 产品涉嫌侵犯对方六项专利。业内普遍认为美国超大规模云厂商高度依赖三星供货,出台进口禁令概率偏低,三星也将本次调查归为常规法务流程,但长周期备货的硬件厂商仍需持续跟进案件进展。

三星意在凭借经过实测的 HPB 散热方案、敲定的 2nm 基底工艺以及提前三年对外亮相的产品路线,传递架构研发底气。而未来展会英伟达能否在三星晶圆上留下签名,仍是三星器件事业部需要用产品落地回答的问题。

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