玻璃基板，2028年启动量产

SEMI报告预测，随着人工智能（AI）与高性能计算（HPC）需求持续增长，玻璃基板有望在2028年前后启动初期量产。玻璃基板预计将于2028年前后率先在部分高性能场景进入小批量量产阶段，随后逐步拓展至更广泛、更复杂的半导体封装结构中。

玻璃基板以玻璃材料替代传统封装基板所使用的有机芯材，具备更强的耐热性与更低的翘曲度，可支持更大尺寸基板与更精细的互联结构。玻璃基板，被半导体行业视为下一代先进封装解决方案，能够满足AI加速器与高带宽内存（HBM）对先进封装的需求。

SEMI表示，亚洲、北美与欧洲的多家企业及研究机构正持续加大对玻璃基板技术的投入与研发力度。当前，半导体厂商在传统工艺微缩竞赛之外，正寻求提升整体系统性能的新路径，先进封装技术的重要性显著提升。报告预测，2028年至2040年期间，玻璃基板市场的复合年均增长率（CAGR）将达到67.2%。

SEMI市场情报高级总监Clark Tseng表示，相较于传统封装基板，玻璃基板可支持更大尺寸、更精细互联与更高稳定性，有望成为高性能封装的关键方案。

玻璃基板为何优于有机基板？

玻璃基板为何优于有机基板，其核心原因在于热性能、电气性能、物理结构全面占优。热膨胀系数与硅匹配，有机芯基板热膨胀系数约7ppm/℃，与硅的2.6ppm/℃差距大，极易引发翘曲；玻璃热膨胀系数可控制在3–9ppm/℃，可与硅精准匹配，即便超大封装也能维持稳定良率。

其次介电性能优异，玻璃是绝佳绝缘材料，10GHz频率下，介电常数Dk低至2.5–6，介电损耗Df低至0.0005–0.005，可保障高速传输下的信号完整性。

第三，表面极致平整：玻璃表面平整度与光洁度极高，可实现更精细的线路线宽/线距（L/S），可达2微米以下。

全球厂商布局情况

凭借适配先进封装的优异物性，全球主流晶圆厂与封测厂纷纷新增玻璃基板、玻璃中介层产线。台积电2025年推出310×310毫米CoPoS（面板基板芯片）产线规划；计划2026年在景硕设立首条试产线，2027年小批量试产，2028–2029年实现量产。台积电在CoPoS中把玻璃用作中介层，厚度要求更薄（约400微米，仅为普通基板一半）、热膨胀系数匹配标准更严苛，技术难度高于玻璃基板方案。

三星2024年CES官宣研发玻璃中介层技术；2025年通过子公司SEMCO建成首条玻璃芯基板试产线，规划2027年量产。Rapidus在2025年日本半导体展，展出目前最大尺寸600×600毫米玻璃中介层样品，目标2028年量产。

韩国SK集团与应用材料合资企业Absolics，早在2022年就投入约3000亿韩元，在美国佐治亚州卡温顿建成首座玻璃基板工厂。公司目标研发可直接内嵌有源/无源器件的玻璃基板，省去中介层环节，缩减封装面积、厚度与功耗；基板尺寸500×500毫米，规划2026年量产。

英特尔是玻璃基板研发最为激进的厂商。2023年9月，英特尔官宣先进封装导入玻璃基板，量产窗口锁定2026–2030年。2026年1月22日日本NEPCON展，英特尔展出首款EMIB+玻璃芯基板整合样品：封装尺寸78×77毫米（约1716平方毫米），支持2倍掩模版尺寸，采用10-2-10堆叠结构（10层重布线层+2层玻璃芯+10层重布线层，共22层），总厚度800微米，凸点间距45微米。同时测试实现无微裂纹（NoSeWaRe），为量产扫清关键障碍。

值得一提的是，英特尔里奥兰乔工厂或将成为全球首个实现玻璃基板量产的基地。这座工厂于上世纪80年代投产，并在90年代至21世纪初成长为全球顶尖的生产基地。如今，它立志成为半导体产业新阶段的标杆阵地，主攻玻璃基板与硅光子两大核心业务。现阶段钱德勒工厂仅用于小批量试产，而里奥兰乔工厂将全面开展规模化生产。