产能升级，美光美国工厂量产1α DRAM

据报道，美光科技已在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂，启动1α工艺DRAM芯片生产。美光董事长、总裁兼首席执行官表示：“将先进的1α DRAM生产线落地美国本土，能够夯实面向美国本土及全球市场的存储芯片供应能力。”他还提到，此次投产是美光在美国投入2000亿美元，扩大本土存储制造与研发规模规划中的重要一环。

美光预计，马纳萨斯工厂将在2026年底产出合格的1α工艺DRAM产品，后续逐步量产DDR4以及低功耗LPDDR4存储芯片。

1α工艺属于美光第四代十纳米级制程，相比最新的第六代1γ工艺落后两代，也是目前美光美国厂区应用的最先进制造工艺，同时该工艺首度在美国落地投产。

这座工厂主打长生命周期存储产品，供货车载、国防航空、工业设备、网络通信及医疗器械领域。此前厂区一直沿用初代1x、二代1y等老旧制程。引入1α工艺后，工厂单片晶圆芯片产出量与成本竞争力将得到提升。美光表示，该厂DDR4晶圆成品产能有望提升至原有四倍。

多名美国政府官员出席本次投产仪式。美国商务部长称：美国本土终于实现存储芯片自主制造。美光这笔两千亿美元大额投资，将把国内工业、车载、国防航空类存储芯片产能扩大四倍。先进存储制造业重回本土，助力本国高端制造产业复苏。

该项目是美光美国两千亿美元整体投资计划的组成部分。企业同时在纽约州克莱市、爱达荷州博伊西筹建芯片工厂。纽约超级工厂今年一月动工，场地前期筹备进度快于预期。爱达荷州首座工厂预计2027年年中下线首批晶圆，当地第二座厂区也已启动前期建设工作。

美光预估，系列投资项目将为美国创造约九万个就业岗位，同时拉动经济增长，助力保障国家安全。

美光在美国的2000亿美元投资

此前美光宣布公司计划将美国的投资扩大到约2000亿美元，其中包括1500亿美元的内存制造和500亿美元的研发投资，估计将创造9万个直接和间接就业机会。

美光约2000亿美元的美国扩张愿景包括爱达荷州的两家领先的大型晶圆厂、纽约四家领先的大容量晶圆厂、弗吉尼亚州现有制造工厂的扩建和现代化、先进的HBM封装能力和研发。这些投资旨在使美光能够满足预期的市场需求，保持市场份额，并支持美光在美国生产40%DRAM（动态随机存取存储器）的目标。

两家爱达荷州晶圆厂与美光科技爱达荷州的研发业务合用同一地点，将推动包括HBM在内的尖端产品的规模经济和更快的上市时间。

据悉，美光已经在爱达荷州的第一家晶圆厂实现了关键的建设里程碑，DRAM产量计划于2027年开始。爱达荷州的第二家晶圆厂将增加美光在美国的DRAM产量，以满足人工智能推动的不断增长的市场需求，而该公司预计在完成州和联邦环境审查程序后，将于今年晚些时候在纽约开始地面准备工作。

美光预计其爱达荷州的第二家晶圆厂将在纽约的第一家晶圆厂之前上线。在爱达荷州第二家晶圆厂完工后，美光计划将先进的HBM封装能力带到美国。此外，美光还敲定了2.75亿美元的《芯片法案》直接资助奖，支持其投资于弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的扩建和现代化。

美光董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“美光在美国的存储器制造和研发计划突显了我们对推动创新和加强美国国内半导体行业的承诺。这项约2000亿美元的投资在半导体生态系统中创造数万个美国就业机会，并确保美国国内半导体供应。”

美光预计，其在美国的所有投资都将有资格获得先进制造业投资信贷（AMIC），该公司已经获得了地方、州和联邦层面的支持，包括高达64亿美元的《芯片法案》直接资金，用于支持爱达荷州两家晶圆厂和纽约两家晶圆厂的建设，以及弗吉尼亚州晶圆厂的扩建和现代化。