存储人才战升温！美光在韩国挖角HBM技术大牛

美国存储半导体企业美光近期开启高带宽内存（HBM）核心设计人员招聘，工作地点定为首尔。业内认为，三星电子正因绩效奖金与薪酬待遇相关劳资纠纷陷入内部发展困境，难以迅速应对全球半导体企业此番人才挖角行为。美光同样十分重视韩国市场，近期已着手强化旗下韩国子公司Micron Semiconductor Korea的公关体系。

据悉，美光近期在韩国招募的岗位为Staff HBM Design Architect和Principal HBM Design Architect，工作地点均为首尔。该岗位负责新一代HBM产品的DRAM数字及模拟电路设计与分析工作，不仅要完成高速DRAM与混合信号电路的功耗、面积、速率优化，还需负责未来HBM产品的架构方向审核与功能验证工作。

在招聘公告中，美光将研发面向人工智能（AI）、机器学习（ML）、高性能计算（HPC）的新一代HBM解决方案列为核心工作目标。

此次招聘的应聘条件，明显直指高端存储设计专业人才。Staff级别岗位要求电子电气工程等相关专业本科及以上学历，具备3年及以上半导体设计从业经验；Principal级别岗位要求本科学历者拥有7年及以上电路设计经验，硕士学历者拥有5年及以上相关经验。该企业表示，入职人员除参与HBM电路设计工作外，还将投身硅通孔（TSV）三维堆叠架构、功耗优化、高速接口研发等新一代AI存储核心技术项目。

业内评价，美光此次招聘的HBM设计架构师属于瞄准高端存储人才的核心岗位。按照美国薪资标准，该岗位Staff级别年薪约1亿韩元（按1美元兑换1500韩元汇率计算，约合66670美元）至1.5亿韩元，Principal级别叠加绩效薪酬后年薪最高可达3亿韩元，此外还设有绩效奖金与股权薪酬。

业内分析，限定首尔办公的招聘方式，本质目的是吸纳韩国本土优质HBM核心人才。目前SK海力士与三星电子合计占据全球超七成HBM市场份额。另有观点认为，提供本土就职机会、免去异地外派困扰，是为降低三星电子与SK海力士在职人员的求职顾虑。

当下三星电子深陷绩效奖金制度及薪资待遇相关劳资矛盾，这也成为美光等海外存储半导体企业招揽人才的有利时机。特斯拉今年也在招募万亿级晶圆厂相关半导体工艺工程师，工作地点同样设置在首尔。今年2月，特斯拉CEO Elon Musk在社交平台X发文喊话身在韩国、有意从事半导体设计、制造及软件相关工作的人才加入特斯拉，引发行业热议。

业内一直有消息称，近年HBM市场主导权逐步向SK海力士转移期间，已有部分三星电子存储部门员工跳槽至SK海力士。三星电子工会也证实，近期依旧有存储业务人员入职SK海力士，同时也有不少从业者跳槽至美国科技巨头企业及中国相关企业。

美光近期在韩国市场持续加码布局的举动，也备受行业关注。据悉，美光已启动韩国本土专业公关机构的筛选工作，进一步完善当地媒体对接与对外宣传工作。业内认为，此举意在三星电子、SK海力士主导的韩国本土存储半导体市场中，进一步提升自身品牌知名度与行业影响力。美光正全力进军AI存储赛道，目前已向英伟达供应第五代HBM3E产品，同时对外公布了新一代产品HBM4的量产交付规划。

一位业内人士表示：“美光如今不再局限于单纯拓展市场销售业务，正同步深耕韩国HBM产业生态、抢夺行业核心人才。”