SK海力士推进与英特尔2.5D封装合作

SK海力士着手与英特尔在尖端封装领域开展合作，引发业界关注。据悉，SK海力士目前正引入英特尔的2.5D封装技术，开展将高带宽存储器（HBM）与系统半导体进行集成的相关测试。在2.5D封装行业龙头台积电近期深陷严重供货短缺的背景下，业内出现了AI加速器用2.5D封装供应链有望实现多元化的预期。

2.5D封装是在半导体芯片与基板之间插入薄膜型中介层，以此提升芯片性能的技术。主要应用场景包括英伟达、AMD等全球科技大厂研发的AI加速器。AI加速器正是通过2.5D封装，将GPU等各类高性能系统半导体与HBM整合制成。

目前全球科技大厂的2.5D封装供应链，事实上由台积电独家垄断。SK海力士也与台积电保持紧密合作关系，双方一直共同开展HBM及2.5D封装相关研发。

SK海力士正考虑引入英特尔的2.5D封装技术——嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）。据了解，公司已开始采购搭载EMIB技术的基板，开展HBM与系统半导体的集成测试。熟悉此事的相关人士表示：“目前虽仍处于初期研发阶段，但SK海力士正积极测试基于英特尔EMIB技术实现2.5D封装，同时也在物色量产所需的材料与零部件备选方案。”

业界分析认为，SK海力士与英特尔洽谈合作，源于两家企业利益高度契合。台积电的2.5D封装技术CoWoS，受AI半导体市场热潮影响，正面临极度紧缺的供货困境。因此多家科技巨头都将英特尔EMIB视作CoWoS极具潜力的替代方案。

从SK海力士角度而言，也有必要提前布局研发英特尔EMIB技术。虽然SK海力士并不直接量产2.5D封装产品，但结合2.5D封装的结构与特性来开发HBM，有利于提升产品良率与稳定性。事实上，SK海力士已在韩国本土运营一条用于2.5D封装研发的小规模产线。同时，通过此次合作，英特尔有望大幅扩张自身尖端封装业务版图。英特尔EMIB技术摒弃大面积中介层，改用小型硅桥实现芯片间互联。只需在芯片需要互联的位置布设硅桥，芯片布局更加灵活高效。

半导体业界相关人士称：“目前英特尔正面向SK海力士及主流封测厂商（OSAT）大力推广EMIB技术，中长期来看，英特尔EMIB有望入局AI加速器2.5D封装供应链格局。”

除了EMIB，英特尔先进封装技术还包括EMIB-T，前者适用于一般异构集成，如CPU与GPU、CPU与HBM的互连，而后者则在硅桥中引入硅通孔（TSV），实现垂直互连，信号和电源可直接通过TSV从封装底部传输到芯片，专为高性能计算、AI加速器、数据中心芯片等对带宽、功耗和可靠性要求极高的场景设计。

据知名分析师郭明錤透露，英特尔的EMIB-T先进封装后段良率已提升至90%以上，在技术验证方面，这是一个非常积极且合理的指标，或推动谷歌在2027年下半年推出的TPU v8e（Humufish）中采用EMIB封装。

据悉，英特尔正就其先进封装服务与至少两家大型客户展开持续磋商，其中包括亚马逊和谷歌。一位英特尔前员工的话透露，与台积电的封装方法（CoWoS）相比，英特尔的EMIB和EMIB-T封装方法旨在提高能效并节省成本。英特尔代工业务负责人纳加·钱德拉塞卡兰则表示，封装可能会在未来十年改变人工智能革命。英特尔已在其位于新墨西哥州里奥兰乔的工厂做好了EMIB-T的量产准备。

郭明錤指出，英特尔目前将FCBGA设定为衡量EMIB生产良率的基准。而业界FCBGA的生产良率普遍在98%或更高。郭明錤强调，从良率的角度来看，从90%提升至98%比从项目启动提升到90%更具挑战性。此外，考虑到谷歌TPU规格尚未最终确定，技术验证良率和最终产品量产良率之间并不能划等号。