寒序科技携手SEMIFIVE流片三星8nm eMRAM边缘AI SoC

来源:半导纵横发布时间:2026-05-07 18:12
芯片设计
技术进展
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韩国芯片设计服务企业 SEMIFIVE 宣布与中国磁自旋芯片研发企业寒序科技 (ICY Tech) 合作,成功流片一款采用三星晶圆代工 8LPU 制程 eMRAM的新一代边缘 AI 芯片。

该项目是 SEMIFIVE 首次利用 eMRAM 技术进行 ASIC 设计项目,流片的胜利也标志着亚洲首次商业部署 8nm eMRAM 技术的重要里程碑。

eMRAM 是一种非易失性存储器,不需要类似 DRAM 定期刷新操作;同时其单元尺寸更小,可实现较 SRAM 更高的数据密度。其基于 MTJ(磁隧道结)结构,以 MTJ 处单位单元的电阻变化为基础,使用自旋替代电荷存储数据,几乎可以无限期保留信息。

同时,寒序科技的这款芯片采用 PNM(近内存处理)架构设计解决了端侧推理面临的带宽瓶颈,可支持 2B 模型端侧运行。

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