NEO Semiconductor完成3D堆叠内存X-DRAM概念验证

3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s。

NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。