即刻生效！三星、金士顿宣布SSD涨价，涨幅至少10%

三星电子与金士顿已于本周双双向渠道商下发官方调价通知，旗下SSD全系列产品涨幅均不低于10%，即刻生效。

这是4月内存储大厂发起的第二波集中涨价。本月初，三星与西部数据已悄然将部分高端M.2 SSD价格上调近两倍，部分市场8TB旗舰盘标价一度突破4000美元。

如今新旧两轮涨价叠加，零售端价格彻底被推至历史最高位。落到具体型号上，三星990 PRO 1TB目前海外售价约300-330美元，此轮上调10%后将冲击330-360美元。去年同款产品售价还不到100美元，如今已暴涨3至4倍。国内方面，常规国产PCIe 4.0 1TB固态硬盘价格已攀升至约900元，2TB型号约1500元。

由于三星与金士顿在行业内的主导地位，其价格信号往往对整个市场形成示范效应，预计其他厂商的跟涨动作在未来数周内将逐步落地。

推动此轮涨价的核心驱动力仍然是上游NAND闪存颗粒成本持续升温。

据TrendForce最新预估，2026年第二季度NAND Flash合约价将环比再增70%至75%，DRAM合约价也将季增58%至63%。TrendForce还指出，市场买家普遍预期客户端SSD价格仍有进一步上涨空间，即便目前PC端需求尚未出现明显复苏。此外，买家担忧服务器端需求可能吸收现有产能，由此推动市场积极回补库存，进一步加剧供需紧张态势。

NAND Flash价格暴涨的核心逻辑，在于供给端的主动收缩与需求端的超预期爆发形成的“强剪刀差”。供给端来看，经历2022-2024年连续三年的产能过剩后，全球存储芯片龙头企业（如三星、SK海力士、铠侠）从2025年初开始集体调整产能策略：一方面大幅削减128层以下旧世代NAND Flash产线的资本开支，另一方面将更多产能转向176层、232层等新一代3D NAND技术。据TrendForce统计，2025年全球NAND Flash总产能同比下滑15%，其中传统消费级存储芯片产能收缩幅度达25%。更关键的是，头部厂商通过“控量保价”策略主动减少现货市场投放，将更多晶圆优先供应给长期合约客户，直接导致市场流通货源锐减。

需求端的“井喷”则远超市场预期。AI革命的深化成为核心驱动力：AI服务器对高速大容量存储的需求较传统服务器增长5-8倍——单台8卡AI服务器需配置2Tb以上的企业级SSD，而全球AI服务器出货量2025年预计同比增长120%；智算中心的算力集群建设中，存储容量需求随算力规模呈指数级增长，仅国内头部云厂商2025年新增存储采购量就达10EB（1000万Tb）；消费电子领域，手机厂商为应对AI大模型本地化需求，将旗舰机型存储配置从128Gb普遍提升至512Gb甚至1Tb，带动手机用NAND Flash单机用量增长3倍。

随着 AI 产业推动存储需求快速上升，三星与SK海力士已经开始敲定具体的NAND Flash扩产方案。业内消息称，三星与SK 海力士都计划在今年第 2 季度推进最尖端 NAND 的“转换投资”。

三星在2024年9月就已启动280 层 V9 NAND 量产，但目前产能仍然很小，月产大约只有 15000 片晶圆左右。当时，三星考虑到市场需求不足，只在平泽园区部署了初期量产线。

三星接下来准备从今年第2季度开始扩大V9产能，重点放在中国西安的 X2 产线。目前西安 X2 仍主要生产6至7代旧款 NAND，而邻近的X1产线向第8代 NAND 的转换基本已经完成。业内正在讨论的转换投资规模约为月产4-5万片晶圆。按照设备导入节奏，V9 NAND 预计从明年起正式进入量产加速阶段。

半导体业内人士表示，三星原本打算在第1季度启动西安 X2 的 V9 转换，但日程推迟到第2季度。同时，平泽第1园区（P1）也在准备相关投资，因此明年V9产品的生产占比可能会明显提高。

SK 海力士方面同样在推进先进NAND扩产。SK 海力士计划在今年第2季度启动 321 层第 9 代 NAND 的转换投资，目标是在清州 M15 确保月产约3万片晶圆的V9产能。与目前约 2 万片晶圆的水平相比，这次扩产力度相当大。