全新赛道开启！闪迪启动HBF工艺供应链搭建

将NAND闪存如同高带宽内存（HBM）般进行堆叠，大幅提升性能与容量的高带宽闪存（HBF）工艺市场已正式开启。率先公开HBF技术的闪迪已着手搭建材料、零部件与设备（零组件）供应链。随着各大存储厂商相继启动HBF研发，该技术能否催生可与HBM匹敌的制造需求备受市场关注。

闪迪为搭建HBF试产线，已开始联合相关零组件合作伙伴构建产业生态。该公司计划在今年下半年推出HBF样品，此举被视为新建试产线的前期布局。日本目前是生产线选址的热门地区。一位零组件行业高层人士表示：“闪迪以今年下半年导入核心设备为目标，正与零组件企业洽谈合作，部分厂商已进入采购订单（PO）商议阶段。” 业内预计，闪迪将于下半年完成试产线建设，年底投入运行，目标是明年实现量产。

HBF是闪迪在去年2月公布的全新概念闪存产品，核心架构与HBM相似。近年来为AI运算提供支撑、实现高速增长的HBM，通过堆叠DRAM芯片大幅提升了速度（带宽）等性能；而HBF则以NAND闪存替代DRAM进行堆叠，在提升带宽的同时进一步扩大存储容量。如果说HBM是聚焦速度、面向AI训练实时运算的内存，那么HBF则实现了存储容量的最大化。

与DRAM不同，HBF具备断电后数据仍可保存的非易失性特性，有望成为面向AI应用的全新存储方案。随着HBF生产基础设施建设全面推进，相关工艺所需的零组件需求预计也将同步扩大，这意味着一个前所未有的全新产品制造工艺市场正式启动。除闪迪外，SK海力士与三星电子也在筹备HBF技术，市场增长速度有望进一步加快。SK海力士正与闪迪在HBF标准化等方面展开合作，三星电子则以独立技术路线备战市场。

韩国科学技术院（KAIST）金正浩教授在今年2月的HBF技术路线图发布会上预测，2038年HBF市场规模将超越HBM。由于HBF与HBM工艺高度相似，现有HBM制造相关的零组件产业生态预计将继续保持技术优势。NAND堆叠后实现芯片间信号传输需要使用硅通孔（TSV）技术；业内普遍认为，在NAND存储芯片键合材料与键合设备领域，已在HBM市场建立竞争力的企业将继续维持优势地位。

业内人士表示：“HBM与HBF制造工艺差异不大，因此在现有HBM市场占据主导地位的三星电子、SK海力士工艺生态，极有可能直接延伸至HBF市场。”

金正浩教授认为，仅靠HBM已难以满足智能体AI时代的需求，而下一代解决方案正是HBF。“HBM就像摆在桌旁、用于快速查阅的简易参考书，属于短期记忆；而HBF则是用NAND闪存替代DRAM进行堆叠，实现容量大幅提升的巨型书架，相当于长期记忆。AI要想检索全球数据并给出完美答案，就必须依托图书馆级别的HBF层级架构。”

至于目前的竞争格局，金教授认为与2010年代HBM发展初期如出一辙。“2010年代HBM刚兴起时，SK海力士积极投资，如今坐稳行业第一；三星当时则质疑‘如此昂贵的产品能用到哪里’，放缓投资节奏，最终为此付出代价。十年后哪家企业能实现最大增长，终将由HBM和HBF决定，而最终决胜关键会是HBF。若现在不持续投入基础设施与研发，三星与SK海力士都将陷入危机。”他预测，HBF工程样片将于2027年前后面世，最快2028年，谷歌、英伟达、AMD中将会有一家企业率先大规模采用。

金教授预言，AI半导体格局将迎来根本性逆转，当前以英伟达GPU为核心的产业范式，将彻底转向以内存为中心（Memory-Centric）的架构。“如今计算的核心是GPU与CPU。但未来，拥有超大容量的HBM和HBF将成为核心，GPU会被集成其中，‘内存中心化计算’时代即将到来。当GPU和CPU沦为普通零部件时，想要引领这一范式变革，就必须以HBF为根基。”