翘曲难题告破！三星SOCAMM2量产在即

三星电子即将正式量产下一代AI服务器存储模块SOCAMM2，并已成功攻克此前最大的技术难关——翘曲（Warpage）问题。SOCAMM2 是搭载于英伟达下一代 AI 平台Vera Rubin、与高带宽内存（HBM）配套使用的核心低功耗存储模块。

为解决SOCAMM2的翘曲问题，三星电子在制程中应用了自主研发的下一代低温焊接（LTS）技术。SOCAMM2 是以低功耗 DRAM LPDDR5X 为基础打造的模块化产品。其数据传输速度虽低于 HBM，但能大幅降低功耗、提升系统效率，同时价格更为亲民，可有效降低服务器与数据中心的运营成本。

翘曲是指在制造过程中因受热导致部件发生微小弯曲的现象。主要由材料间热膨胀系数（CTE）不匹配引起，长期以来一直是半导体封装工艺中的顽疾。尤其 SOCAMM2 采用将 LPDDR5X 芯片模块化后用螺栓紧固压缩的结构，因翘曲引发连接不良的风险更高。

为解决这一问题，三星电子引入了低温焊接（LTS）技术，将原本需要 260℃以上高温的焊接工艺降至 150℃以下进行。通过大幅降低峰值温度，有效避免了因热量导致的材料间热膨胀系数不匹配问题。

三星电子早在 2023 年便启动下一代低温焊接技术的研发，并以 2025 年实现量产应用为目标。期间已与联想等主要客户提前开展合作，积累了实际生产经验。业内评价称，凭借这项提前布局的 LTS 技术应用于 SOCAMM2，三星在开发与量产速度上领先于竞争对手。

除温度控制外，三星还同步推进了多维度设计优化。将封装内部芯片（Die）布局从双塔结构改为单塔结构，提升物理刚性；并在材料层面优化环氧塑封料（EMC）厚度与热膨胀系数。此外，通过高精度仿真模型提升翘曲预测精度，进一步强化了量产稳定性。

此前，三星电子已于去年12月向英伟达提供了客户样片阶段的SOCAMM2。随后在今年GTC2026大会上，搭载于 Vera Rubin平台的SOCAMM2实物首次公开亮相，打响了继HBM之后AI服务器内存市场的新一轮信号。基于三星最新的LPDDR5X DRAM，SOCAMM2融合了LPDDR的低功耗特性与模块化架构的优势，为数据中心提供了更丰富的内存选择。虽然基于DDR的服务器模组（如RDIMM，即寄存式双列直插内存模组）仍是高容量通用服务器的主流方案，但SOCAMM2作为互补选择，面向需要快速响应与高能效的下一代AI加速服务器进行了优化。相较传统 RDIMM，SOCAMM2的带宽可提升至两倍以上，功耗可降低 55%以上，并在高强度AI工作负载下保持稳定的高吞吐量表现。

与传统的焊接式LPDDR解决方案不同，SOCAMM2无需对主板进行任何修改即可轻松升级或更换内存，从而帮助系统管理员最大限度减少停机时间，并显著降低总体拥有成本(TCO)。SOCAMM2更高的能效表现使AI服务器部署中的散热管理更加便捷高效，有助于数据中心维持热稳定性并降低冷却需求，这对于高密度AI环境至关重要。相较于RDIMM的垂直布局，SOCAMM2采用水平布局进一步提升了系统空间利用率，使散热器布局与气流设计更具灵活性，从而更顺畅地与CPU和加速器集成，同时保持与风冷和液冷系统的兼容性。

值得一提的是，今年3月美光在业界率先出样单模组256GB的SOCAMM2内存条，为当前全球最大容量的低功耗服务器内存模组 。该产品采用全球首个单芯片32Gb LPDDR5x DRAM Die，功耗和占用面积仅为传统RDIMM的三分之一 。借助该模组，8通道服务器CPU单颗内存容量可达2TB，能处理更大的上下文窗口，满足复杂AI推理需求。模块化SOCAMM2设计提升了可维修性，支持液冷服务器架构，并随着AI和核心计算内存需求的不断增长，实现未来容量扩展。