砸530亿韩元，DI研发ASIC高频DRAM测试设备

韩国DI公司正在研发搭载ASIC的高性能存储器测试设备，旨在替代长期由其它国家企业主导的测试系统。

行业消息透露，DI正着手开发集成ASIC芯片的下一代高频（高时钟）DRAM高速测试设备。从芯片设计到验证，研发周期预计为3至4年，期间计划投资约530亿韩元。该公司已于去年11月通过发行300亿韩元可交换债券（EB），筹措到部分中长期研发资金。

一位业内人士表示，DI目前正在遴选外部芯片设计公司。该人士称：“考虑到合作伙伴筛选与签约进度，实际研发启动时间可能有所推迟。”DI原计划于今年第一季度启动研发。高频DRAM测试设备用于验证高带宽内存（HBM）、DDR5 DRAM等高性能、高带宽存储产品的接口特性等运行性能，同时用于筛选不良芯片并按最终性能等级分类。

DI转向基于ASIC的系统开发，目标是实现与竞争对手相当的吉赫兹级测试性能。随着AI应用不断拓展，HBM 与 DDR5 DRAM需求持续增长，带动测试设备需求上升。目前这类设备主要由日本 Advantest 和美国 Teradyne 供应。

ASIC芯片为特定功能进行专门设计与优化。相较于现有设备普遍使用的FPGA，ASIC的数据处理与运算速度更快，更便于精准控制与专用功能实现，同时在功耗、散热及小型化方面更具优势。但ASIC研发成本更高，需要规模效应才能降低单位成本，且初期研发费用高于可重构架构的FPGA，研发周期也更长。若原型性能未达预期，芯片与电路板可能都需要重新设计，叠加晶圆代工厂生产环节，还可能产生额外成本与延期风险。

为降低上述风险，DI计划在ASIC研发过程中采用分阶段推进方案，并引入FPGA进行验证。该公司将先利用FPGA对ASIC设计进行反复验证，优化逻辑性能与功能，再最终以ASIC形式落地，以此降低设计失败风险与成本。

DI今年计划为下一代高速测试设备研发投入总计70亿韩元，其中30亿韩元用于逻辑与物理设计，以及ASIC和FPGA芯片仿真。明年将把总投资额提升至100亿韩元，扩大ASIC功能设计。2028年起计划启动ASIC的晶圆代工生产与验证，该阶段研发与制造成本投入约360亿韩元。DI目标最晚于2030年完成设备开发，研发总投入将达530亿韩元。

DI去年合并营收为4322亿韩元，营业利润365亿韩元，与2024年预计的30亿韩元营业利润相比，这一数字增长超过11倍。营业利润率也从1.4%提升至8.5%。业绩增长主要得益于子公司Digital Frontier第六代高带宽内存（HBM4）测试仪和DIDDR5封装测试仪的销量增长。尤其值得一提的是，HBM4测试仪自去年以来已开始批量供应给SK海力士。

与现有的HBM测试设备不同，HBM4测试仪是专为HBM开发的。与上一代基于DRAM设备改进的产品不同，HBM4测试仪剔除了不必要的材料和功能，从而降低了成本，提升了价格竞争力。随着销量的增长，通过经营杠杆效应，营业利润率得以最大化。

DI将去年营业利润的增长归功于半导体市场的复苏。由于对人工智能基础设施的需求，内存供应仍然短缺。该公司预测，随着人工智能服务器和推理需求的增长，今年对测试设备的需求将会扩大。该公司今年已获得价值1960亿韩元的HBM4测试仪订单，并正在研发下一代设备，进一步降低成本。