挑战GDDR堆叠，美光打响第一枪

美光正率先在业内挑战图形内存（GDDR）堆叠技术，效仿高带宽内存（HBM）的堆叠方式提升GDDR性能，以此应对人工智能内存需求的多元化趋势。这一动作是否会打响新一轮内存堆叠竞争的发令枪，备受业内关注。

业内消息称，美光已着手研发可垂直堆叠的全新GDDR产品，其计划在今年下半年完成相关设备部署，并启动工艺测试。一位熟知相关事宜的业内人士透露：“初期预计会实现4层左右的GDDR堆叠，最快明年就能推出工程样品。” 目前包括堆叠层数在内的具体规格仍在讨论中，该动向大概率是为响应AI加速器等客户的需求。

GDDR是专为视频与3D图形处理设计的内存，以往主要应用于显卡、游戏设备，近期也开始搭载于部分AI加速器。与HBM相比，GDDR的速度（带宽）更低，但凭借价格优势，在AI推理等特定场景的需求正持续增长。分析认为，美光正是瞄准这一市场机遇，试图通过堆叠GDDR，打造出性能介于HBM与传统GDDR之间、速度优于普通GDDR且容量更大的产品。

近年来随着AI市场扩容，适配不同用途与价位的多样化产品不断涌现，内存需求也随之呈现多元化趋势。英伟达在推理专用芯片中采用SRAM，便是典型案例。业内预计，堆叠式GDDR产品将抢占HBM与普通非堆叠GDDR之间的中端市场；同时在持续增长的高性能游戏显卡领域，也将拥有可观需求。

若美光GDDR堆叠技术研发成功，有望抢占市场先机。尽管目前该领域仍属细分市场，但美光判断其将随AI普及具备较大增长潜力，因此正式推进产品商用化。这一策略意在领先三星电子、SK海力士，提前布局GDDR堆叠市场，抢占竞争优势。

此前GDDR堆叠仅停留在先期技术研究与论文阶段，尚无量产先例，美光能否攻克技术难关成为关键。GDDR之间的堆叠方案、功耗与发热控制，均被视为核心技术难题；同时堆叠过程中的成本管控也必不可少，只有维持相较HBM的高性价比，才能保障产品市场竞争力，这也意味着必须最大化GDDR堆叠的实际效用。

业内人士表示：“此前除技术难题外，GDDR堆叠的市场定位尚不清晰，因此未能积极推进商用化。而随着AI内存市场格局变化，GDDR堆叠的必要性日益凸显，美光此次挑战，或将成为新一轮内存堆叠竞争的信号。”

GDDR堆叠属于全新探索方向，美光此前已通过SOCAMM2技术，探索将 LPDDR5X等通用DRAM堆叠至16层，单模组容量最高可达256GB，并向客户送样256GB SOCAMM2产品。不过，LPDDR5X功耗更低、散热可控，其堆叠难度远低于GDDR。

美光256GB SOCAMM2为各种AI和通用计算工作负载提供更高的内存容量、更低的功耗，以及更快的性能。256GB SOCAMM2容量较前代最高规格192GB SOCAMM2提升三分之一，可为每颗 8 通道 CPU 提供 2TB LPDRAM 容量，从而支持更大的上下文窗口及更复杂的推理工作负载。与相同容量的 RDIMM 相比，SOCAMM2的功耗仅为其三分之一，尺寸亦缩减至三分之一，有效提升机架密度并降低总体拥有成本。在统一内存架构中，与现有解决方案相比，256GB SOCAMM2用于KV缓存卸载时，可将长上下文、实时 LLM 推理的首个 token 生成时间加速2.3倍。在独立CPU应用中，针对高性能计算工作负载，LPDRAM的每瓦性能较主流内存模块提升超3倍。模块化SOCAMM2设计可提升设备可维护性、支持液冷服务器架构，并能随着AI与核心计算内存需求的持续增长，实现未来容量扩充。