存储双雄，HBM彻底卖爆

三星电子、SK海力士高带宽内存（HBM）出货量预计今年仍将实现大幅增长。据观测，受益于英伟达、博通、AMD 等客户的需求，三星电子的HBM出货量将突破100 亿 Gb。而SK海力士尽管近期面向英伟达供应的HBM4 陷入性能争议，但市场普遍认为，该公司在满足合理性能区间的产品供应方面不存在问题。整体来看，两家企业年初设定的HBM出货量目标预计不会出现重大调整。

业内消息显示，三星电子与SK海力士今年HBM出货量按容量合计预计将达到300 亿 Gb。

三星电子HBM出货量有望突破100亿Gb

三星电子已设定目标，今年HBM产量较去年扩大3倍以上。三星电子内存开发负责人黄相俊副社长在GTC 2026上表示：“我们正在快速扩大HBM产能，计划今年产量较去年提升 3 倍以上。”据估算，三星电子去年HBM总出货量约为40亿 Gb。以此推算，今年出货量目标将达到110亿Gb左右。

事实上，三星电子在去年底制定今年HBM业务战略时，就对这一增长态势抱有信心。原因是其下一代产品HBM4获得了英伟达的积极反馈，与 AMD、博通等其他客户的供应协商也已进入收尾阶段。博通为谷歌、OpenAI等科技巨头代工AI芯片。预计英伟达将成为三星电子HBM4的最大客户。

三星电子HBM的核心芯片采用1c DRAM，承担控制器功能的基底裸片则采用自家代工4纳米工艺，两款裸片的工艺精度均优于竞争对手。基于此，三星电子被认为率先满足了英伟达提高的 HBM4 性能标准。原本 JEDEC（国际半导体标准化组织）制定的HBM4标准为8Gbps级别，而英伟达将要求提升至11.7Gbps。

在HBM3E产品方面，博通是最大客户。谷歌自研AI芯片TPU搭载HBM，据悉今年将大幅扩大基于 HBM3E的v7p版本采购量。

不过业内认为，三星电子HBM出货量进一步提升的可能性并不高。截至今年年底，三星可获得的 1c DRAM产能约为月产13万片，其中大部分已分配给HBM，难以再获得额外产能。

SK海力士虽陷性能争议，出货量计划维持不变

SK海力士今年HBM出货量预计将达到200亿Gb左右，较去年（约120亿Gb）增长约60%，其中约三分之二分配给英伟达。公司计划上半年主力供应HBM3E，下半年起扩大HBM4供应量。

近期SK海力士陷入市场担忧：其面向英伟达的HBM4供应可能受阻，原因是难以满足英伟达上调后的HBM4性能要求。SK海力士HBM4的核心芯片采用1b DRAM，基底裸片采用台积电12 纳米工艺，工艺相比三星更偏成熟制程。实际上，SK海力士HBM4在与 AI 加速器整合的2.5D封装测试中，未能达到最高性能指标，核心原因被认为是电力无法稳定传输到核心裸片最上层。对此，SK海力士正通过修改部分电路进行改进。

但业内预计，SK海力士面向英伟达的HBM供应量基本不会偏离原计划。原因是英伟达虽将HBM4最高性能要求提至 11.7Gbps，但同时也采购10Gbps等较低性能版本。若只采用最高规格产品，可能无法充分量产其最新高端AI芯片 “Vera & Rubin”。

SK海力士社长郭鲁正也在近期公司年度股东大会上表示：“虽与客户协商对产品结构做了小幅调整，但整体HBM出货量计划没有重大变化。”

一位半导体业内人士表示：“随着HBM4进入商用阶段，各种性能与客户相关的问题不断出现，但三星电子和SK海力士均未大幅调整原定HBM出货目标。由于HBM整体供应能力远低于需求，市场普遍认为两家产品都将保持热销。”