12万亿韩元！SK海力士大手笔采购EUV设备

据报道，SK海力士将为尖端半导体制造，对极紫外（EUV）设备进行大规模投资，为下一代DRAM与HBM量产做准备，相关设备预计将陆续进驻目前正在建设的新厂区。

SK海力士发布有形资产收购公告，宣布将引进规模达11.9496万亿韩元的极紫外（EUV）设备。此次投资规模相当于SK海力士总资产的9.97%，设备预计收购时间从本月起至明年12月31日。SK海力士表示：“收购金额为EUV光刻机引进与运营所需的新设备、安装、库存等全部预计费用。收购对象将在总计两年内分批购入，每台设备单独采购时将分期支付款项。”

EUV是用于在半导体晶圆上蚀刻电路的光刻工艺光源。与传统半导体光刻光源 ArF（氟化氩）相比，其光波波长仅为后者的1/13（13.5 纳米），更易于实现超微细化制程。目前EUV设备由荷兰半导体设备企业ASML独家生产，技术难度极高，设备价格也十分昂贵。据悉，最新一代设备单价约为3000亿韩元。

以此价格推算，SK海力士到明年为止预计将引进至少30台以上EUV设备。目前SK海力士正在建设清州M15X厂区，并从今年开始正式导入设备。龙仁半导体集群的首座厂区计划在明年2月洁净室完工后进驻设备。

EUV工艺的核心应用对象为1c DRAM。此前，SK海力士已在1a DRAM的1层结构中首次应用 EUV，之后在1b DRAM中将其扩大至4层，而1c DRAM将采用更多层EUV工艺。1c DRAM 不仅将用于 SK海力士下一代移动、服务器 DRAM，也将应用于人工智能数据中心核心部件 ——HBM。计划从明年正式量产的HBM4E开始，首次采用1c DRAM。

此外，SK海力士公司正计划通过在美国上市的方式筹集10万亿至15万亿韩元（约合100亿美元）的资金。SK海力士将把潜在收益用于建设人工智能基础设施，比如在韩国龙仁市建设半导体集群，以及扩大存储产品的产能。SK海力士的一位发言人就该报道回应称：“旨在提升股东价值的各种措施，包括美国存托凭证（ADR），目前正处于审查阶段。不过，目前尚未有最终决定。”

下一代HBM，竞争加剧

随着AI需求爆发，HBM的重要性持续攀升，作为 HBM “大脑” 的基底裸片竞争也日趋激烈。特别是从第七代 HBM4E开始，三星电子与SK海力士预计将通过在基底裸片上采用先进制程，展开性能对决。业内消息显示，将于明年正式启动的 HBM4E 市场中，基底裸片策略的重要性将进一步提升。基底裸片位于 HBM 堆叠最底层，充当基座，直接与GPU相连。

基底裸片是连接GPU与内存的通道。随着AI需求激增，GPU的数据处理量大幅提升，对基底裸片的性能要求也随之提高。对此，三星电子在第六代HBM4的基底裸片上，采用了旗下三星晶圆代工的4纳米先进制程，以提升性能；SK海力士则采用了台积电的12纳米制程。

三星电子率先在业界应用领先的1c DRAM 制程，并为基底裸片导入先进晶圆代工工艺，业内评价其在HBM4性能上较SK海力士取得优势。三星电子上月率先实现HBM4量产出货，数据传输速率达11.7Gbps，最高可支持13Gbps。

作为应对，SK海力士正考虑从第七代HBM4E起，在基底裸片上采用台积电3纳米制程，此举被视为从HBM4E开始提升性能、与三星展开竞争。在DRAM制程方面，该公司也计划将现有 10 纳米级第五代（1b）升级为 1c 制程。三星电子则计划在基底裸片上沿用与第六代相同的4纳米晶圆代工工艺，但通过优化控制电流的晶体管性能，在保持功耗效率的同时，将速率提升至16Gbps的更高水平。

分析指出，从第七代开始，“定制化HBM” 市场将正式兴起，客户会根据不同应用场景，提出针对性的功耗效率与性能优化需求。这使得采用更精细线宽、集成部分逻辑功能、进而提升运算性能与能效的基底裸片需求持续增加。一位业内人士表示：“下一代HBM的趋势是，采用先进制程的基底裸片，以实现客户所需的每瓦性能与整体性能指标。”

值得一提的是，此前三星电子在英伟达GTC 2026大会上还提到了更先进的HBM5及HBM5E相关规划。HBM5的核心芯片预计将采用1c制程，而基底裸片正依托三星晶圆代工的2纳米制程进行研发。HBM5E的核心芯片将采用1d制程，基底裸片则继续使用三星晶圆代工的2纳米制程。