
受益于AI与HPC需求强劲,台积电2nm家族包含A16制程产能严重供不应求,现在已经排到2028年以后,同时台积电先进制程也将连续四年涨价。
业内消息称,台积电2nm家族产能供不应求继续加剧,除了英伟达、博通、联发科等既有大客户先后预订未来两年产能,英特尔也排队预订,最快可望于2027年内导入新品。Meta也加入抢产能行列,但由于诸多大客户已预先包下产能,使得台积电2nm家族订单能见度进一步拉长到2028年以后。
最受瞩目的是,英伟达规划下一代采用台积电A16制程生产的Feynman平台,也因A16产能紧缺,传出英伟达无法取得足够A16产能,仅留用最关键的裸芯片(Die)采用A16,部分裸晶片设计则改采N3P制程。
博通日前于财报会议提到,该公司已经完成超前部署,顺利掌握直到2028年AI芯片生产所需的所有HBM及台积电先进制程产能,同时表露出提前预订台积电未来两年先进制程产能的意味。
台积电2nm家族包含A16制程需求强劲。台积电先前于法说会提到,2nm和A16在应对节能运算永无止境的需求方面领先业界,几乎所有的创新者都正在与台积电合作,包括N2、N2P、A16及其衍生技术将推动2nm家族成为台积电另一个大规模、且有长期需求的制程技术。
去年12月,台积电官网显示,“台积电的2nm (N2) 技术已按计划于2025年第四季度开始量产。 ”值得注意的是,位于中国台湾的新竹科学园区(Fab 20)和高雄(Fab 22)是台积电2nm首发晶圆厂。根据此前消息,台积电2nm (N2) 先进制程工艺量产初期的产能约为每月3.5万片晶圆,到今年底有望升至14万片/月,高于此前市场预估的10万片/月。
从性能提升的角度来看,N2 的设计目标是在相同功耗下实现 10%–15% 的性能提升,在相同性能下降低 25%–30% 的功耗,并且对于包含逻辑、模拟和 SRAM 的混合设计,晶体管密度比 N3E 提高 15%。对于纯逻辑设计,晶体管密度比 N3E 高出 20%。
台积电的N2工艺是该公司首个采用环栅纳米片晶体管(GAA)的工艺节点。在这种晶体管中,栅极完全环绕由水平堆叠纳米片构成的沟道。这种几何结构改善了静电控制,降低了漏电,并能够在不牺牲性能或能效的前提下实现更小的晶体管尺寸,最终提高了晶体管密度。此外,N2工艺还在电源传输网络中加入了超高性能金属-绝缘体-金属(SHPMIM)电容器。这些电容器的电容密度是上一代SHDMIM设计的两倍以上,并将薄层电阻(Rs)和过孔电阻(Rc)降低了50%,从而提高了电源稳定性、性能和整体能效。
台积电2nm家族延伸推出N2P制程技术,具备更佳的效能及功耗优势,预计2026年下半年量产;台积电并规划,同属于2nm家族的A16制程也将于2026年下半年进入量产。
对于相关传闻,台积电一贯不评论单一客户讯息,强调不评论价格问题,公司定价策略始终以策略导向,而非以机会导向,会持续与客户紧密合作,以提供价值。
2025年第四季度,台积电营收336.7亿美元(10460.9亿新台币),同比增长25.5%,环比增长5.7%。净利润5057.4亿新台币,同比暴增35%,这是台积电连续第八个季度实现利润同比增长。净利率达48.3%,毛利率62.3%。其中,3nm 制程出货占晶圆销售金额的28%;5nm 制程出货占晶圆销售金额的 35%;7nm 制程出货占晶圆销售金额的 14%。总体而言,先进制程(包含7nm及更先进制程)的营收达到第四季度晶圆销售金额的 77%。
按平台划分,高性能计算(HPC)和智能手机分别占净营收的55%和32%,而物联网(IoT)、汽车、数据通信设备(DCE)和其他分别占5%、5%、1%和2%。来自北美地区的客户的收入占台积电总净收入的74%,而来自亚太地区,中国大陆、日本和欧洲、中东、非洲(EMEA)的收入分别占总净收入的9%、9%、4%和4%。
此前台积电预计,2026年资本支出520亿美元至560亿美元。作为对比,2025年台积电资本支出总计409亿美元。
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