imec，收到High-NA EUV光刻机

近日，imec宣布已收到ASML的TWINSCAN EXE:5200高数值孔径（NA）极紫外（EUV）光刻系统。该系统将安装在imec位于比利时鲁汶的300毫米洁净室中。imec表示：“凭借这套集成了图案化、测量工具和材料套件的高NA EUV光刻系统，imec及其生态系统合作伙伴将能够获得所需的性能，从而引领2纳米以下逻辑和高密度存储技术的发展，为先进人工智能和计算的进步提供支持。”

imec首席执行官Luc Van den Hove表示：“过去两年对于高数值孔径（0.55）极紫外光刻设备而言至关重要。” 2024年6月，imec与ASML在荷兰费尔德霍芬联合成立了“高数值孔径极紫外光刻实验室”。该实验室引进了高数值孔径极紫外光刻系统原型机“TWINSCAN EXE:5000”，并开放了该系统及其配套工艺和测量工具的使用权限。

该实验室的建立旨在实现高数值孔径（高NA）极紫外光刻设备的量产。除了EXE:5000之外，imec和ASML还为该实验室配备了涂布/显影轨道、测量设备、晶圆和掩模传输系统以及其他组件，从而为半导体制造商创造了一个环境，使他们能够在将设备引入自身工厂之前，开发自身的高NA EUV应用案例，同时降低技术风险。他们还提供了广泛的生态系统，包括材料和设备供应商以及imec的高NA图形化项目。

imec解释说，通过推出EXE:5200，他们“巩固了自身作为最全面的先进图形化开发环境的地位”。通过与领先的半导体制造商、设备制造商、材料和光刻胶供应商、掩模制造商以及测量领域的专家紧密合作，他们实现了更快的学习周期和更高的工艺稳定性。他们表示，“通过推进下一代逻辑和存储器件的尖端图形化技术的开发和演示，我们将加速突破性进展，从而塑造未来几年先进计算和人工智能的发展方向。”

将高数值孔径极紫外光刻技术扩展到工业规模

Luc Van den Hove评论道：“imec 和 ASML 通过与高数值孔径 EUV 光刻实验室生态系统的合作，在该技术领域发挥了先锋作用。随着 EXE:5200 的推出，我们旨在将高数值孔径 EUV 光刻技术扩展到工业规模，并开发下一代高数值孔径 EUV 光刻应用案例。凭借无与伦比的分辨率、更优异的套刻性能、高吞吐量以及可增强工艺稳定性和吞吐量的新型晶圆堆垛机，我们的合作伙伴将在加速 2nm 以下芯片技术开发方面获得决定性优势。”

ASML首席执行官Christophe Fouquet表示：“imec推出EXE:5200是迈向埃级光刻时代的重要一步。我们将携手合作，加速高数值孔径EUV光刻技术的扩展，以应用于下一代先进存储器和计算。”

imec 预计 EXE:5200 将于 2026 年第四季度完成认证。与此同时，位于费尔德霍芬的高数值孔径 EUV 光刻实验室将继续运营，以确保 imec 及其生态系统合作伙伴的高数值孔径 EUV 研发活动的持续性。

ASML总裁兼首席执行官傅恪礼表示：“我们在强化欧洲芯片技术生态、服务全球芯片制造客户方面迈出重要一步。通过与Imec长达 40 年的合作，我们共同加速创新、深化协作、培育本土人才，这些都是支撑全球芯片产业与人工智能发展的必要条件。

High-NA EUV被认为是可以降低工艺复杂性和制造成本，并是制造2nm及以下的尖端制程的关键设备。High-NA 不仅需要新的光学器件，还需要新的光源材料，例如德国蔡司在真空中制造的一个由抛光、超光滑曲面镜组成的光学系统，甚至还需要新的更大的厂房来容纳这种机器，这都将需要大量投资。

即便如此，为了保持半导体的性能、功率、面积和成本（PPAc）等方面的优势，已经领先的制造商们诸如台积电、三星、英特尔、SK海力士等世界头部逻辑芯片和存储芯片制造商，为了率先并更多拿到ASML最先进的光刻机已经争得不可开交。早在 2020 ~ 2021 年，ASML 就表示已经收到了三家客户的 High-NA 意向订单，共提供多达 12 套系统。