
随着 AI 数据中心对带宽和功耗的要求不断提升,网络互联正从电互联向光互联规模化升级,而在共封装光学(CPO)的技术体系中,激光器这一核心器件一直处于缺位状态。如今,这一局面已被改写。
高塔半导体与辛迪尔光子(Scintil Photonics)宣布,成功量产全球首款面向 AI 基础设施的单芯片密集波分复用(DWDM)光引擎。DWDM 即密集波分复用技术,可在一根光纤中同时传输多路光信号,在连接数十颗 GPU 的同时,大幅降低功耗与延迟。
辛迪尔光子首席执行官马特・克劳利(Matt Crowley)表示,光复用技术本身并非新概念。事实上,它的历史与互联网一样悠久。上世纪 90 年代,电信运营商在城市地下铺设了海量光纤,当时业界认为一根光纤承载一个波长终将成为常态。而当电信行业意识到,通过波分复用可在单根光纤中传输数十个波长时,整个行业迎来了颠覆性变革。
DWDM 技术迟迟未能在 AI 专用数据中心落地,核心原因在于其成本与需求尚不具备规模化部署条件。克劳利称:“AI 数据中心内部的数据传输,相当于超算的大规模扩容。”
区别于连接数据中心内不同集群的横向扩展(scale‑out)网络,纵向扩容(scale‑up)网络面临更大挑战,该模式需直接连接单机柜或集群内的加速芯片(XPU 扩展处理单元)。要让数十颗 GPU 与内存协同如同一台设备,就必须实现无缝带宽与极低延迟。
为提升 AI 数据中心的带宽、降低延迟并提高能效,网络工程师正逐步用光链路替代铜缆链路。可插拔光模块通过分立光学元件实现电光信号转换,而将这些元件集成到单一芯片,便是共封装光学(CPO)。
克劳利表示:“大型芯片厂商的做法,都是将光芯片与 GPU 进行键合。”CPO 芯片由此成为处理器的输入输出核心。但如果无法通过可规模化的工艺,将激光器本身集成到相同的硅芯片制程中,就不可能在单颗芯片上实现一根光纤承载多个波长。
辛迪尔的SHIP 异构集成光子技术(Scintil Heterogeneous Integrated Photonics),可将激光器、光电二极管、调制器等元件集成到可大规模量产的硅晶圆上。克劳利称:“这是我们的 CMOS 级方案”,同时通过特殊工艺,解决了光增益材料与硅键合的固有难题。
其工艺流程如下:由高塔半导体提供标准 300 毫米硅光晶圆,包含无源光学元件;将晶圆翻转,暴露出埋氧层;在激光器对应位置,将微小的无图形化铟磷 / III‑V 族半导体裸片精准键合至埋氧层,最大限度减少昂贵半导体材料的用量;最后通过光刻工艺刻蚀衍射光栅,形成 8 组分布式反馈激光器。
克劳利强调:“我们并非重新发明激光器。” 相比传统硅晶圆制造工艺,先进光刻技术可实现更精准的间距控制与波长稳定性。
最终产品为LEAF Light 光子集成芯片,芯片集成两组 8 通道分布式反馈阵列。每个光纤端口可提供 8 或 16 个波长,通道间距为 100 吉赫兹或 200 吉赫兹,确保无信号重叠与模式跳变。另一颗专用 ASIC 芯片则承担激光器阵列的全部电控与监测功能。
克劳利表示:“我们真正做的,是把激光器直接集成到 CPO 芯片上。”英伟达与博通已在 CPO 方案中采用单波长光纤技术,验证了其在横向扩展网络中的可行性。“我们则在为纵向扩容网络打造下一代 CPO。”
单纤多波长传输,推动行业迈向理想的 “低速宽频” 架构 。例如,LEAF Light 芯片并非在单通道(单波长)传输 400 吉比特每秒,而是将 50 吉比特每秒分摊至 8 个通道,大幅提升单纤数据容量与整体能效。该设计可实现单纤1.6 太比特每秒的速率;而英伟达近期路线图显示,未来 DWDM 互联有望实现每比特低于 1 皮焦耳的功耗。
克劳利认为,该方案最核心的价值在于延迟。“我必须保证 GPU 之间的低延迟。” 如果单个处理器运算速度快于网络,GPU 就会持续等待数据,这一问题在搭载数十乃至上百颗 GPU 的纵向扩容网络中会被急剧放大。高带宽通道的前向处理与纠错机制,会进一步恶化延迟表现。“GPU 利用率会直接暴跌。”
而采用低带宽 DWDM 连接多颗 GPU,可使芯片利用率翻倍。
辛迪尔与高塔计划在2026 年底向客户交付数万颗器件,并在明年将产能提升一个数量级。到 2028 年,当客户计划在纵向扩容网络中部署 DWDM 时,供应链将完全就绪。克劳利表示:“我们对这项技术即将打开的全新可能充满期待。”
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