三星：“内存繁荣”预计2028年结束

尽管在HBM领域已被SK海力士超越，韩国三星电子仍是全球最大的存储器制造商。多年的市场经验使三星预见到存储器需求不可避免的下降。该公司认为，在当前的AI热潮之后，市场将在2028年开始下滑，因此正在为此做好准备。

过往经验告诉三星，在增长阶段过度投资扩大产能是危险的，因为随后的需求下降会导致产能过剩和巨额亏损。目前，三星正专注于在人工智能蓬勃发展的销售旺季，尽可能降低这种风险，同时实现利润最大化。三星将投资扩大下一代HBM的生产规模并掌握先进的制造工艺，但同时也会密切关注预期的市场低迷。

分析师抱怨说，自人工智能热潮兴起以来，市场变得更加难以预测，周期不断变化，使得内存制造商更难制定投资策略。此次存储芯片涨价的根本原因在于AI算力爆发引发的结构性供需失衡。单台AI服务器内存需求为传统服务器的8倍到10倍，而AI算力基础设施的建设速度远超存储芯片产能扩张速度。具体来看，AI服务器对存储的需求是普通服务器的数倍，单台AI服务器的存储配置达1.7TB，而传统服务器仅为0.5TB。这种需求激增直接拉动高带宽存储器（HBM）、DDR5及企业级固态硬盘（SSD）等高性能产品缺口扩大。

今年专家们对专注于提高HBM产能的明智之举充满信心。如果没有相应规模的新生产线推出，这将导致其他类型内存的短缺，尽管三星也在努力扩大其生产基地。该公司正在平泽工厂投产新生产线，并在华城工厂专注于掌握新的工艺技术。目前，该公司正在为采用第六代10nm工艺（1c）生产DRAM做准备。SK海力士的可用建设空间较为有限，但该公司也在努力推出用于生产前景广阔的DRAM类型的新生产线。

在韩国政府的支持下，一座大型存储器制造厂正在龙仁市兴建，这可能对两家公司都大有裨益。该厂一期工程预计将于2028年竣工，之后将启动二期工程。

2月20日，全球存储芯片巨头SK海力士释放出强烈信号，存储行业已全面进入卖方市场。SK海力士表示，当前公司DRAM及NAND整体库存仅剩约4周，处于历史极低水平，从谷歌、微软等云厂商，到OpenAI等AI企业，再到消费电子终端厂商，所有客户均无法获得足额供应，重复下单现象又进一步推高价格预期。

“今年没有一家客户的需求能够完全得到满足。”SK海力士在会上强调，受AI真实需求爆发及洁净室空间受限等供给刚性约束影响，2026年存储芯片价格将持续上涨，涨势贯穿全年已成定局。

美国美光科技公司也并未止步。该公司正在美国、中国台湾和新加坡扩大DRAM产能，同时也在提升HBM的产量。制造项目通常需要两年左右的时间才能完成，因此到2028年，这三家存储器制造商的产能都将得到显著提升。

在NAND闪存领域，市场饱和预计会更快到来。在DRAM领域，上述三家公司是主要参与者，而在NAND闪存市场，铠侠也在积极扩充产能。

数月前，铠侠位于日本岩手县北上市的新建半导体生产设施Fab 2（K2）已开始运营。传闻铠侠并不会另外为BiCS10 FLASH 3D NAND闪存新建生产线，而是选择对这间工厂的生产线进行改造，以满足生产要求。

从第八代BiCS  FLASH闪存技术上开始，铠侠便引入了CBA（CMOS directly Bonded to  Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起。第九代BiCS  FLASH闪存技术则是利用CBA技术降低生产成本，同时实现高性能，其中整合了现有的存储单元技术与最新CMOS技术。

到了第十代BiCS  FLASH闪存技术，铠侠将增加存储层的数量，从第八代BiCS  FLASH闪存技术的218层增至332层，总层数增加了38%；优化平面布局后，位密度提升了59%，进一步增强了存储密度；采用了Toggle  DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND  I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps；引入PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。

有业内人士表示，由于铠侠和闪迪缺乏DRAM业务，所以不会像三星、SK海力士和美光那样保守，策略上更为进取，希望趁着这次“存储芯片超级周期”进一步提升自身的市场地位。