默克将在韩建厂，计划今年供应先进NAND材料

德国化学材料企业默克（Merck）将在韩国搭建下一代半导体材料量产生产线，目标是今年实现对先进 NAND 闪存的供货，预计将加强与三星电子、SK 海力士等韩国主流存储芯片企业的合作。

在座谈会上，默克介绍了用于下一代半导体量产的钼（Mo）前驱体。前驱体是半导体制造中沉积工艺（在晶圆上形成薄膜的工艺）必需的核心材料之一，指在发生化学反应生成特定物质之前的中间体材料。

以往沉积工艺中，钨被广泛使用，主要用于形成半导体内部控制电流的电极。但近年来，随着半导体电路线宽微缩至数纳米级别，业界对比钨电阻率更低的替代材料需求日益迫切。电阻率是衡量材料对电流阻碍程度的指标，金属电阻率越低，信号传输速度越快，芯片性能也就越好。

为此，默克开发出可替代钨的下一代钼基前驱体（MoO₂Cl₂）。钼的电阻率低于钨，即便在更薄的厚度下，也能实现高性能薄膜。

韩国默克代表理事金友圭表示：“我们正在投资建设峨山工厂，推进钼前驱体材料的量产，今年内将完成在韩向客户供货的准备工作。后续将根据需求，把峨山工厂量产的钼前驱体供应至亚洲其他国家。”

钼前驱体最先落地的应用领域是NAND闪存。因为NAND闪存每一代都会堆叠更多存储单元，要实现各层的高密度结构，就必须缩小布线宽度。钼前驱体将率先应用于NAND中的字线（Wordline），即向特定单元施加电压的线路。

据悉，韩国三星电子、SK 海力士也计划从第 9 代 NAND，即最新一代产品开始采用钼材料。业内认为，默克通过在韩量产钼前驱体，旨在强化与这些企业的合作。

未来，钼材料还将拓展至晶圆代工、3D DRAM等领域。默克认为，长期来看钼将全面替代钨，相关市场有望迎来大幅增长。金友圭代表表示：“虽然无法给出具体数值，但钼将在半导体全领域大范围替代钨，市场潜力非常巨大。”

另一方面，美国Entegris等企业也在推动钼前驱体市场扩张。默克提出的差异化竞争优势，是名为CHEMKEEPER 的定制化材料供应系统。CHEMKEEPER 是一种可恒压、均匀供应前驱体的设备，能保障量产工艺的稳定性与可靠性。同时，该设备可将大容量容器内的材料利用率提升至 99.5%，有助于降低客户的总拥有成本（TCO）。

默克电子科技业务副总裁凯瑟琳・戴・卡斯强调：“钼这类材料，不仅材料本身重要，配套的供应体系同样关键，默克的整合解决方案将成为一大优势。我们的供应系统可对整个气瓶均匀加热，实现更稳定、一致的压力控制。”